[发明专利]一种解决尖端放电的结构及方法

权利要求书

1.一种解决尖端放电的结构，其特征在于，包括限流电阻、导通开关、降压模块、自升压导通模块、三线插座及三线插头，其连接结构为，

所述限流电阻、导通开关连接供电端，该限流电阻、导通开关分别连接降压模块、三线插座，导通开关还连接自升压导通模块，降压模块还连接该自升压导通模块、三线插座，自升压导通模块、三线插座还连接上述三线插头；

其中，

限流电阻用于限制降压模块工作时的电流；

导通开关用于选择接入的三线插座电压源头；

降压模块用于降低设备接入前电压，输出恒定低电压；

自升压导通模块用于驱动降压模块和导通开关的截止和导通；

三线插座提供设备接入口；

三线插头用于设备接入。

2.根据权利要求1所述的一种解决尖端放电的结构，其特征在于，所述限流电阻的输入端接供电端正极、输出端接降压模块，该降压模块由MOS管M1和稳压二极管D1串联组成，其中MOS管M1的G极接自升压导通模块、S极接限流电阻、D极接稳压二极管D1的负极，该稳压二极管D1的正极接供电端负极且接地，相对应的，在MOS管M1导通时，限流电阻与稳压二极管D1串联，从而完成降压模块限流工作。

3.根据权利要求2所述的一种解决尖端放电的结构，其特征在于，所述导通开关采用MOS管M2组成，该MOS管M2的D极接供电端正极、G极接自升压导通模块、S极接三线插座及限流电阻的输出端，该MOS管M2在设备接入前处于关断状态，三线插座输出电压为稳压二极管D1稳定的低电压。

4.根据权利要求3所述的一种解决尖端放电的结构，其特征在于，所述MOS管M1为P沟道mosfet；MOS管M2为N沟道mosfet。

5.根据权利要求3或4所述的一种解决尖端放电的结构，其特征在于，所述自升压导通模块由二极管D2、电容C1、电阻R2组成，其中二极管D2的正极连接在MOS管M1与稳压二极管D1之间、负极与MOS管M2的G极、MOS管M1的G极汇总后接入电容C1的正极，该电容C1的负极连接电阻R2的输入端以及三线插座，电阻R2的输出端接地。

6.根据权利要求5所述的一种解决尖端放电的结构，其特征在于，所述三线插座设置有三个端口，在设备接入前，一端接入导通开关，电压为稳压二极管D1的稳定电压；一端接入自升压导通模块，即与上述电容C1负极、电阻R2正极连接，电压为0伏；最后一端为接地，在接入设备后除接地端其外，其它端口电压都与供电端电压一致。

7.一种解决尖端放电的方法，其特征在于，基于权利要求1-6任一所述的一种解决尖端放电的电路结构，其实现步骤为：

步骤一、在设备接入前，降压模块导通，导通开关则处于关断状态，三线插座的输出正向端为稳定电压；

步骤二、设备接入后，三线插座输出正向端通过设备接口连接至自升压导通模块，降压模块关断，导通开关导通，导通开关在导通过程中使得输出正向端电压持续上升，并推动自升压导通模块提高降压模块、导通开关中的电压直至降压模块完全关断，导通开关完全导通，此时输出电压为供电端电压，设备完全接入使用。

8.根据权利要求7所述的一种解决尖端放电的方法，其特征在于，在步骤一中的设备接入前，供电端的MOS管M1处于导通状态，通过稳压二极管D1稳定MOS管M1两端为低电压，而MOS管M2处于关断状态；三线插座输出正向端为稳压二极管D1的稳定低电压，此时自升压导通模块通过二极管D2给电容C1充电，由于稳压二极管D1上的压降，导致MOS管M1和MOS管M2的状态无法改变，限流电阻在此阶段用于限制通过稳压二极管D1的电流，R2两端电压都为0V。

9.根据权利要求7或8所述的一种解决尖端放电的方法，其特征在于，所述稳压二极管D1控制三线插座在设备接入前所有连接点最大电压为该稳压二极管的稳定电压；即通过稳压二极管选择输出端在设备接入前的最大电压，该最大电压为5V。

10.根据权利要求7所述的一种解决尖端放电的方法，其特征在于，在步骤二中的设备接入后，电阻R2一端接地、另一端为输出正向端电压，导致电容C1放电，同时二极管D2限制反向电流导致稳压二极管D1与电容C1连接点电压持续上升，MOS管M1、MOS管M2、稳压二极管D1和电容C1的连接点电压上升，使得MOS管M1逐渐关断，MOS管M2逐渐导通，MOS管M2在导通过程中使得输出正向端电压持续上升，并推动自升压导通模块提高MOS管M1、MOS管M2、稳压二极管D1和电容C1的连接点电压直至MOS管M1完全关断，MOS管M2完全导通，此时输出电压为供电端电压，设备完全接入使用。