[发明专利]一种解决尖端放电的结构及方法

说明书

本发明公开了一种解决尖端放电的结构及方法，其实现步骤为：在设备接入前，降压模块导通，导通开关则处于关断状态，三线插座的输出正向端为稳定电压；设备接入后，三线插座输出正向端通过设备接口连接至自升压导通模块，降压模块关断，导通开关导通，导通开关在导通过程中使得输出正向端电压持续上升，并推动自升压导通电路提高降压模块、导通开关中的电压直至降压模块完全关断，导通开关完全导通，此时输出电压为供电端电压，设备完全接入使用。本发明的一种解决尖端放电的结构及方法与现有技术相比，具有结构简单，成本低廉，全自动运行，可靠度高等特点，能从根本上解决尖端放电的优势，实用性强。

技术领域

本发明涉及计算机服务器技术领域，具体地说是一种解决尖端放电的结构及方法。

背景技术

服务器主板在进行带电插拔时，经常会发生尖端放电，又称打火现象，极易损坏主板和机柜的电源接口，并且由于局部放电现象造成接口部件加速老化影响使用寿命及传输效果。

现有技术方案都是采用改变接口物理外观或者设置机械开关来达到防止尖端放电的效果，这样的方法成本高，效果可靠性差，特别是通过物理外观来实现的方法，根本无法真正达到接口表面无突出部位的要求，而且对于非圆形接口根本无法应用。

现有技术方案中物理外观无法真正做到表面无突出部位的要求，而且对于非圆形接口根本无法应用，而机械开关增加系统复杂度，开关可靠度差，只降低了尖端放电的强度，并不能消除尖端放电，两种方案都具有成本高，可靠度差的缺点。

基于此，本发明提供一种解决尖端放电的结构及方法。

发明内容

本发明的技术任务是针对以上不足之处，提供一种解决尖端放电的结构及方法。

一种解决尖端放电的结构，包括限流电阻、导通开关、降压模块、自升压导通模块、三线插座及三线插头，其连接结构为，

所述限流电阻、导通开关连接供电端，该限流电阻、导通开关分别连接降压模块、三线插座，导通开关还连接自升压导通模块，降压模块还连接该自升压导通模块、三线插座，自升压导通模块、三线插座还连接上述三线插头；

其中，

限流电阻用于限制降压模块工作时的电流；

导通开关用于选择接入的三线插座电压源头；

降压模块用于降低设备接入前电压，输出恒定低电压；

自升压导通模块用于驱动降压模块和导通开关的截止和导通；

三线插座提供设备接入口；

三线插头用于设备接入。

所述限流电阻的输入端接供电端正极、输出端接降压电路，该降压电路由MOS管M1和稳压二极管D1串联组成，其中M1的G极接自升压导通电路、S极接限流电阻、D极接D1的负极，该D1的正极接供电端负极且接地，相对应的，在M1导通时，限流电阻与稳压管D1串联，从而完成降压电路限流工作。

所述导通开关采用MOS管M2组成，该M2的D极接供电端正极、G极接自升压导通模块、S极接三线插座及限流电阻的输出端，该M2在设备接入前处于关断状态，三线插座输出电压为稳压二极管D1稳定的低电压。

所述MOS管M1为P沟道mosfet；MOS管M2为N沟道mosfet。

所述自升压导通电路由二极管D2、电容C1、电阻R2组成，其中D2的正极连接在M1与D1之间、负极与M2的G极、M1的G极汇总后接入电容C1的正极，该电容C1的负极连接电阻R2的输入端以及三线插座，电阻R2的输出端接地。