[发明专利]一种碳化硅涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201710312326.1 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107082651B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李同起;焦星剑;李钰梅;张大海 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B41/89 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(1)：分别配制第一涂层浆料和第二涂层浆料，其中所述第一涂层浆料原料包括质量比为3:(3～5)：(0.5～1.5)的酚醛树脂、Si粉和SiC粉，所述第二涂层浆料为硅化浆料，所述硅化浆料的原料包括质量比为3:(2～4)：(1～3)的硅树脂、Si粉和SiC粉；
步骤(2)：将制备的第一涂层浆料涂覆到含碳材料表面，固化得到内覆层，然后将制备得到的硅化浆料涂覆到所述内覆层表面，固化得到外覆层；
步骤(3)：将形成了外覆层的含碳材料进行高温真空烧结，得到碳化硅涂层。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述第一涂层浆料原料和第二涂层浆料原料还包括有机溶剂，其中，所述有机溶剂为乙醇、甲苯或丙酮中的一种或一种以上组合。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于：所述第一涂层原料的有机溶剂的质量为所述第一涂层原料总质量的10～60％；所述第二涂层原料的有机溶剂的质量为所述第二涂层原料总质量的10～60％。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述内覆层厚度为50～300μm，所述外覆层厚度为0.5～3mm。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的高温真空烧结条件为：温度在1300℃～1800℃，压力小于10kPa。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于：步骤(3)高温真空烧结后，通过去离子水冲洗掉表面冗余物，得到碳化硅涂层。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)还包括：在烧结后的外覆层表面制备釉层。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，所述含碳材料的密度为1.2g/cm3～2.2g/cm3。
9.由权利要求1～8任一项提供的方法制备的碳化硅涂层。
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