[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成包括有源层的图形；

在所述衬底上形成包括栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠；

在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影；

形成包括有源层的图形的步骤和形成包括光阻挡层的图形的步骤同步进行，该同步进行的步骤包括：

在衬底的两侧分别形成透明的有源材料层和半透光材料层，并在所述有源材料层上和所述半透光材料层上均形成光刻胶层；

利用同一张掩膜板自所述衬底的任意一侧对衬底两侧的光刻胶层进行曝光，并对曝光后的光刻胶层显影，以保留对应于有源区的光刻胶，其余区域的光刻胶被去除；

以剩余的光刻胶为掩膜，对所述有源材料层和所述半透光材料层进行刻蚀，以形成对应于所述有源区的有源层和光阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半透光材料层包括非晶硅材料层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有源层的材料包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成包括有源层的图形之前还包括：在衬底的表面形成透明的缓冲层，所述有源层形成在所述缓冲层背离所述衬底的表面。

5.一种采用权利要求1至4中任意一项制作方法制得的阵列基板，包括衬底和设置在衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和有源层，所述栅极设置在所述有源层的背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠：其特征在于，所述衬底的背离所述有源层的一侧还设置有光阻挡层，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影；所述光阻挡层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影形状相同。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半透光的膜层包括非晶硅层。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5至6中任意一项所述的阵列基板。