[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成包括有源层的图形；在所述衬底上形成包括栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠；在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影。相应地，本发明还提供一种阵列基板和一种显示装置。本发明能够减小光阻挡层与上方导电膜层之间形成的寄生电容，并且防止准分子激光退火工艺中产生结晶不良，还可以简化阵列基板的制作工艺。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前，低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术成为中小尺寸显示行业的主流。在低温多晶硅技术中由于多晶硅对背光较为敏感，因而会采用在有源层下方设置遮光层来解决这一问题。现有技术中常利用金属作为低温多晶硅或其他顶栅结构形成遮光层，具体结构为：衬底上设置金属材料的遮光层，遮光层上设置有覆盖整个衬底的缓冲层，缓冲层上设置有源层，有源层中至少待形成沟道的区域与遮光层对应，这种结构会导致以下问题：遮光层会与其上方的导电结构(如，有源层或栅极)产生寄生电容，从而影响薄膜晶体管的质量；并且，对于低温多晶硅结构，在其有源层的制作过程中，需要进行准分子激光退火工艺(Excimer Laser Annealing，ELA)，以使得非晶硅形成多晶硅，而由于遮光层的设置，使得缓冲层的表面具有较大的段差，从而导致激光退火工艺的精度降低，进而造成结晶不良，影响薄膜晶体管的质量。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以减少上述寄生电容，并且防止准分子激光退火工艺中产生结晶不良。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成包括有源层的图形；

在所述衬底上形成包括栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠；

在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影。

优选地，在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形的步骤包括：

在所述衬底背离所述有源层的一侧依次形成半透光材料层和光刻胶层；

以所述栅极为掩膜对所述光刻胶层进行曝光并显影，以使对应于栅极的光刻胶保留，其余区域的光刻胶被去除；

以剩余的光刻胶为掩膜，对所述半透光材料层进行刻蚀，以保留对应于栅极的半透光材料，去除其他区域的半透光材料，形成所述光阻挡层。

优选地，形成包括有源层的图形的步骤和形成包括光阻挡层的图形的步骤同步进行，该同步进行的步骤包括：

在衬底的两侧分别形成透明的有源材料层和半透光材料层，并在所述有源材料层上和所述半透光材料层上均形成光刻胶层；

利用同一张掩膜板自所述衬底的任意一侧对衬底两侧的光刻胶层进行曝光，并对曝光后的光刻胶层显影，以保留对应于有源区的光刻胶，其余区域的光刻胶被去除；

以剩余的光刻胶为掩膜，对所述有源材料层和所述半透光材料层进行刻蚀，以形成对应于所述有源区的有源层和光阻挡层。

优选地，所述半透光材料层包括非晶硅材料层。

优选地，所述有源层的材料包括多晶硅。