[发明专利]屏蔽连接器的制造方法

说明书

本发明公开了一种屏蔽连接器的制造方法，包括：S1：提供一本体，具有上表面、下表面、信号收容孔和接地收容孔；S2：提供一金属层，镀设于本体的上表面以及信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所上表面围绕信号收容孔一圈的金属层去除，形成一隔离区围绕信号收容孔，及将金属层分隔成第一金属层和第二金属层；S4：将上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加上表面的第一金属层的厚度，第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得第二金属层未加厚；S5：将金属层去除第二金属层的厚度，从而第二金属层完全去除，第一金属层的厚度减小；S6：提供信号端子和接地端子，分别对应装入信号收容孔和接地收容孔中。

技术领域

本发明涉及一种屏蔽连接器的制造方法，尤其是指一种可保证屏蔽连接器良好屏蔽效果的制造方法。

背景技术

专利号为CN201310691784.2的中国专利揭示了一种屏蔽连接器，包括至少一本体，每一所述本体具有一上表面和一下表面，自所述上表面向所述下表面贯设多个信号收容槽和多个接地收容槽，制造时，先将所述本体整体镀设一导电层，使所述上表面、所述下表面、所述信号收容槽内和所述接地收容槽内均具有所述导电层，然后利用蚀刻治具将所述上表面和所述下表面在临近每个所述信号收容槽外围的所述导电层蚀刻掉，使所述上表面在临近每个所述信号收容槽外围形成一隔离区，所述下表面在临近每个所述信号收容槽外围形成一绝缘部，所述信号收容槽内的所述导电层也被蚀刻掉，形成一绝缘表面，而接地收容槽内的所述导电层被保留，故仅所述接地端子与所述导电层接触，从而保证了所述屏蔽连接器良好的的屏蔽效果。

然而，上述蚀刻工艺的实现必须保证所述上表面和下表面必须为平整的平面，当所述上表面和下表面不是一个平整的面时，在进行蚀刻工艺时，由于所述上表面和下表面不平整，使得蚀刻治具与所述上表面和下表面之间仍存在一间隙，在蚀刻加工过程中，蚀刻溶液容易通过所述间隙进入我们原本需要保留的所述金属层内，进而将我们原本需要保留的所述金属层也蚀刻掉，影响了所述本体的加工制造，从而影响了所述屏蔽连接器良好的屏蔽效果。

因此，有必要设计一种新的屏蔽连接器的制造方法，以克服上述问题。

发明内容

本发明的创作目的在于提供一种屏蔽连接器的制造方法，尤其是指一种可保证屏蔽连接器良好屏蔽效果的制造方法。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种屏蔽连接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本体，具有相对设置的一上表面和一下表面，以及至少一信号收容孔和至少一接地收容孔分别贯穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金属层，镀设于所述本体的上表面以及所述信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所述上表面围绕所述信号收容孔一圈的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，所述隔离区不设有金属层，及将所述金属层分隔成位于所述隔离区之外的一第一金属层和位于所述隔离区之内的一第二金属层；S4：将所述上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加所述上表面的第一金属层的厚度，所述第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得所述第二金属层未加厚；S5：将所述第二金属层去除所述第二金属层的厚度，从而所述第二金属层完全去除，所述第一金属层去除一部分而厚度减小；S6：提供至少一信号端子和至少一接地端子，分别对应装入所述信号收容孔和接地收容孔中，用于导接一芯片模块。

进一步，所述本体还设有多个通孔围绕在每一个信号收容孔和每一个接地收容孔的周围，所述通孔贯穿所述上表面和所述下表面，所述隔离区与所述信号收容孔连通，所述通孔位于所述隔离区之外。

进一步，在步骤S6之后，将一支撑盖设于所述本体上，用以支撑所述芯片模块，所述支撑盖设有多个通槽分别供信号端子和接地端子穿过，自所述支撑盖底面向下凸伸多个支撑块，当所述芯片模块与所述信号端子和接地端子抵接时，所述支撑块支撑于所述上表面且位于相邻两通孔之间。