[发明专利]嵌入式基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710313770.5 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN107170731A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 鲍宽明;王军鹤;侯召政 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 嵌入式 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种嵌入式基板,其特征在于,包括:基板和埋嵌于所述基板内的芯片;

所述芯片的引脚处设置有金属凸台,且所述引脚与所述金属凸台的一端形成电连接,其中,所述金属凸台的高度方向垂直于所述芯片所在平面,且所述金属凸台的高度值为100微米以上;

所述基板的第一表面上设置有配合所述引脚连接需求的导体层,其中,所述第一表面为所述基板上与所述芯片平行且与所述金属凸台距离最近的表面;

所述基板上所述金属凸台的另一端与与所述导体层之间开设有钻孔,所述钻孔内填充有导体材料,以将所述芯片上存在连接需求的引脚通过所述金属凸台及所述导体材料,和所述导体层实现连接,其中,所述钻孔横截面超出所述金属凸台所述另一端的横截面的范围。

2.根据权利要求1所述的嵌入式基板,其特征在于,所述基板包括:用于埋嵌所述芯片及所述金属凸台的中间基板层,及压合于所述中间基板层的一个表面的第一表层基板层;

所述第一表层基板层的外表面作为所述第一表面,设置有所述导体层,所述第一表层基板层上对应于每个金属凸台的区域开设有所述钻孔。

3.根据权利要求2所述的嵌入式基板,其特征在于,所述基板还包括:压合于所述中间基板层的另一个表面的第二表层基板层。

4.根据权利要求3所述的嵌入式基板,其特征在于,所述中间基板层、第一表层基板层和第二表层基板层均由树脂加工形成;

所述导体层包括金属镀层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的嵌入式基板,其特征在于,还包括埋嵌于所基板内的容阻元件;

所述容阻元件的接线端与所述导体层之间开设有钻孔,所述钻孔内填充有导体材料;所述容阻元件的接线端通过相应钻孔内的导体材料与所述导体层连接。

6.根据权利要求5所述的嵌入式基板,其特征在于,所述引脚与所述金属凸台之间设置有焊盘,所述焊盘用于焊接所述引脚及所述金属凸台。

7.一种嵌入式基板的制造方法,其特征在于,包括:

在所述嵌入式基板所需的芯片的每个引脚处分别设置金属凸台,且将所述引脚与金属凸台的一端形成电连接,其中,所述金属凸台的高度方向垂直于所述芯片所在平面,且所述金属凸台的高度值为100微米以上;

根据所述嵌入式基板的预设结构确定所述嵌入式基板所需的各个电子元件的相对位置,其中,所述电子元件包括所述待嵌入芯片;

在相对位置确定的各个电子元件之间填充基板材料,形成基板,以使所述电子元件及金属凸台埋嵌于所述基板内;

根据所述各个电子元件的连接需求在所述基板的第一表面设置导体层;所述第一表面为所述基板上与所述芯片平行且与所述金属凸台距离最近的表面;

在所述基板上所述金属凸台的另一端与所述导体层之间开设钻孔,并在所述钻孔内填充导体材料,以将所述芯片上存在连接需求的引脚通过所述金属凸台及所述导体材料,和所述导体层实现连接,其中,所述钻孔横截面超出所述金属凸台所述另一端的横截面的范围。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在相对位置确定的各个电子元件之间填充基板材料,形成基板,包括:

在相对位置确定的各个电子元件之间填充基板材料,形成中间基板层,使所述芯片及金属凸台埋嵌于所述中间基板层内;

在所述中间基板层的所述一个表面上压合基板材料,形成第一表层基板层;

根据所述各个电子元件的连接需求在所述基板的第一表面设置导体层,包括:

根据所述各个电子元件的连接需求在所述第一表层基板层的外表面设置导体层。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述基板上所述金属凸台的另一端与所述导体层之间开设钻孔,包括:

根据所述芯片在所述基板内的实际嵌入深度及每个金属凸台的高度值确定每个金属凸台对应的钻孔深度;

根据所述钻孔深度在所述第一表层基板层上对应于每个金属凸台的区域分别开设钻孔。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在相对位置确定的各个电子元件之间填充基板材料,形成基板,还包括:

在所述中间基板层的另一表面压合基板材料,形成第二表层基板层。

11.根据权利要求8至10任一项所述的方法,其特征在于,所述电子元件还包括容阻元件;

所述方法还包括:

根据所述容阻元件在所述基板内的实际嵌入深度,在所述基板上对应于所述容阻元件的接线端的区域开设钻孔,并在所述钻孔内填充有导体材料,以使所述容阻元件的接线端通过相应钻孔内的导体材料与所述导体层连接。

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