[发明专利]嵌入式基板及其制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及电子材料与元器件技术领域，尤其涉及一种嵌入式基板及其制造方法。

背景技术

嵌入式元件封装(Embedded Component Packaging,ECP)，是一种将电容、电阻和芯片等电子元件埋嵌入基板内部的封装形态。它可以缩短元件之间的链接路径，降低传输损失，提升产品集成度，减少模块外形尺寸，同时能提升产品的可靠性和电热性能，是实现便携式电子设备多功能化和高性能化的一种重要手段。

现有生产工艺中，嵌入式元件封装一般是通过钻孔及电镀工艺实现的。如图1所示的现有一种基于嵌入式元件封装的基板(以下称嵌入式基板)结构示意图，该嵌入式基板所需的芯片102嵌入基板101内部，芯片102上设置有各个引脚1020，并通过钻孔工艺在基板101上开设多个钻孔104，，再通过电镀等工艺在钻孔104中填充导体材料(如铜)，使得元件102的各个引脚通过钻孔104中的导体材料引出基板101外，以便与其他芯片互连。

可见，依照上述现有嵌入式元件封装工艺，钻孔104钻孔时的激光会对芯片有损伤；而实际加工过程中，钻孔设备的性能限制了其最小钻孔孔径，且钻孔过程中控制偏差可能导致的钻孔偏移。由于这些限制因素，引脚交密集的芯片，如集成芯片，其上设置的引脚也会很密集，为避免芯片损伤，钻孔不能太大或者钻偏，对现有钻孔工艺来说是一个难题。

发明内容

本申请实施例提供了一种嵌入式基板及其制造方法，以解决现有嵌入式元件封装工艺中钻孔孔径不能超过芯片焊盘尺寸的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种嵌入式基板，包括：基板和埋嵌于所述基板内的芯片；

所述芯片的引脚处设置有金属凸台，且所述引脚与所述金属凸台的一端形成电连接，其中，所述金属凸台的高度方向垂直于所述芯片所在平面，且所述金属凸台的高度值为100微米以上；

所述基板的第一表面上设置有配合所述引脚连接需求的导体层，其中，所述第一表面为所述基板上与所述芯片平行且与所述金属凸台距离最近的表面；

所述基板上所述金属凸台的另一端与与所述导体层之间开设有钻孔，所述钻孔内填充有导体材料，以将所述芯片上存在连接需求的引脚通过所述金属凸台及所述导体材料，和所述导体层实现连接，其中，所述钻孔横截面超出所述金属凸台所述另一端的横截面的范围。

采用本实现方式，在保证基板内嵌入的电子元件引脚正常连接的前提下，由于金属凸台存在一定高度(100微米以上)，可以使得钻孔与芯片保持一定距离，从而即使钻孔超出金属凸台的顶面范围，超出区域也有厚度与金属凸台高度相同的基板材料，可以保护芯片不受损坏，因此本申请实施例提供的嵌入式基板在实际加工过程中，不需要根据焊盘或金属凸台的尺寸限制钻孔的孔径大小。对于埋嵌基板厂而言，应用本申请实施例可以扩大芯片选型范围，即可以对任意芯片进行嵌入式封装，不需要考虑自己的钻孔设备所达到的最小孔径是否小于芯片的焊盘尺寸；对于芯片提供方而言，应用本申请实施例也可以扩大对埋嵌基板厂的选择范围，各个埋嵌基板厂的钻孔设备所达到的最小孔径不再是主要选择限制因素，可以仅根据报价等因素进行选择，有利于降低芯片封装成本。

另外，由于本申请实施例中钻孔孔径不受芯片的焊盘尺寸或金属凸台尺寸限制，故在实际封装过程中可以尽量扩大钻孔的孔径，以提高嵌入式基板的通流和散热能力。

可选的，所述基板包括：用于埋嵌所述芯片及所述金属凸台的中间基板层，及压合于所述中间基板层的一个表面的第一表层基板层；

所述第一表层基板层的外表面作为所述第一表面，设置有所述导体层，所述第一表层基板层上对应于每个金属凸台的区域开设有所述钻孔。

可选的，所述基板还包括：压合于所述中间基板层的另一个表面的第二表层基板层。

可选的，所述中间基板层、第一表层基板层和第二表层基板层均由树脂加工形成；所述导体层包括金属镀层。

可选的，所述嵌入式基板还包括埋嵌于所基板内的容阻元件；

所述容阻元件的接线端与所述导体层之间开设有钻孔，所述钻孔内填充有导体材料；所述容阻元件的接线端通过相应钻孔内的导体材料与所述导体层连接。