[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在器件晶片的电介质层中的金属连线；

位于所述金属连线上方的第一开口，所述第一开口的深度与所述金属连线齐平；

覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层，所述第一隔离层由第一滤色材料构成。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

位于所述器件两端的第二开口，所述第二开口的深度与所述第一开口的深度相同；

覆盖在所述第二开口的侧壁上的第二隔离层，所述第二隔离层由第二滤色材料构成。

3.根据权利要求2所述的器件，还包括：

位于所述器件晶片上的像素区，所述像素区包括由金属栅格隔开的填充有第三滤色材料的多个单元；

位于所述多个单元上的微透镜。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，

所述第一滤色材料与所述第二滤色材料由一种或多种颜色的滤色材料构成。

5.根据权利要求2所述的器件，其中，

所述第一开口和所述第二开口的开口深度小于或等于3μm；

所述第一开口的宽度大于或等于40μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的器件，还包括：

用于承载所述器件晶片的载体晶片。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供器件晶片，所述器件晶片的电介质层中形成有金属连线；

在所述金属连线的上方形成第一开口，开口深度与所述金属连线平齐；

在所述第一开口的侧壁上覆盖第一滤色材料以形成第一隔离层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述器件两端分别形成第二开口，其开口深度与所述第一开口的开口深度相同；

在所述第二开口的侧壁上覆盖第二滤色材料分别形成第二隔离层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述器件晶片上形成图案化的金属栅格；

在所述金属栅格之间的间隙中填充第三滤色材料；

在所述间隙上方形成微透镜。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一隔离层和所述第二隔离层均通过曝光显影一种或多种滤色材料来形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述金属栅格由铝或者钨构成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第一开口和所述第二开口的深度小于或等于3μm；

所述第一开口的宽度大于或等于40μm。

13.据权利要求7-12任一项所述的方法，还包括：

提供用于承载所述器件晶片的载体晶片。