[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该器件包括：设置在器件晶片的电介质层中的金属连线；位于金属连线上方的第一开口，第一开口的深度与金属连线齐平；位于器件两端的第二开口，第二开口的深度与第一开口的深度相同；覆盖在第一开口和第二开口的侧壁上的隔离层，隔离层由滤色材料构成。该器件和方法能够简化焊盘引出和隔离的工艺步骤，满足背面密封环的技术需求。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

现有的BSI(Back-side illuminated，背照式)器件需要多道光刻层次及蚀刻工艺(如背面硅光刻或蚀刻、层间电介质沉积、布线沉积等)来实现焊盘引出和隔离，这种工艺的步骤繁琐且实现成本高。另外，缺乏针对于BSI器件的背面密封环的设计和工艺。

发明内容

本申请的发明人发现上述现有技术中存在的问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。

本申请的一个目的是提供一种半导体器件的技术方案，能够简化焊盘引出和隔离的工艺步骤，并能够满足背面密封环的技术需求。

根据本申请的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：设置在器件晶片的电介质层中的金属连线；位于所述金属连线上方的第一开口，所述第一开口的深度与所述金属连线齐平；覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层，所述第一隔离层由第一滤色材料构成。

可选地，该器件还包括：位于所述器件两端的第二开口，所述第二开口的深度与所述第一开口的深度相同；覆盖在所述第二开口的侧壁上的第二隔离层，所述第二隔离层由第二滤色材料构成。

可选地，该器件还包括：位于所述器件晶片上的像素区，所述像素区包括由金属栅格隔开的填充有第三滤色材料的多个单元；位于所述多个单元上的微透镜。

可选地，所述第一滤色材料与所述第二滤色材料由一种或多种颜色的滤色材料构成。

可选地，所述第一开口和所述第二开口的开口深度小于或等于3μm；所述第一开口的宽度大于或等于40μm。

可选地，该器件还包括：用于承载所述器件晶片的载体晶片。

根据本申请的另一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供器件晶片，所述器件晶片的电介质层中形成有金属连线；在所述金属连线的上方形成第一开口，开口深度与所述金属连线平齐；在所述第一开口的侧壁上覆盖第一滤色材料以形成第一隔离层。

可选地，该方法还包括：在所述器件两端分别形成第二开口，其开口深度与所述第一开口的开口深度相同；在所述第二开口的侧壁上覆盖第二滤色材料分别形成第二隔离层。

可选地，该方法还包括：在所述器件晶片上形成图案化的金属栅格；在所述金属栅格之间的每个间隙中分别填充第三滤色材料；在每个所述间隙上方分别形成微透镜。

可选地，所述第一隔离层和所述第二隔离层均通过曝光显影一种或多种滤色材料来形成。

可选地，所述金属栅格由铝或者钨构成。

可选地，所述第一开口和所述第二开口的深度小于或等于3μm；所述第一开口的宽度大于或等于40μm。

可选地，该方法还包括：提供用于承载所述器件晶片的载体晶片。

本申请的一个优点在于，通过对滤色材料曝光显影来形成隔离层简化了焊盘引出和隔离的工艺步骤；通过在器件两端的开口形成划片道满足了背面密封环的技术需求。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本申请的实施例，并且连同说明书一起用于解释本申请的原理。