[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：

在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；

在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极；

所述第一抗刻蚀层图案为掺杂有所述导电介质的光刻胶层图案；

所述制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极，包括：

在第一抗刻蚀层图案上覆盖源漏极金属层；

在源漏极金属层上形成第二抗刻蚀层图案，其中所述第二抗刻蚀层图案为光刻胶层图案；

刻蚀所述源漏极金属层中未被所述第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极；

所述方法还包括：

通过一次构图工序剥离所述第一抗刻蚀层图案中未被所述源极和所述漏极覆盖的区域以及所述第二抗刻蚀层图案。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工序剥离所述第一抗刻蚀层图案中未被所述源极和所述漏极覆盖的区域以及剥离所述第二抗刻蚀层图案，包括：

利用光刻胶剥离液剥离所述第一抗刻蚀层图案中未被所述源极和所述漏极覆盖的区域以及剥离所述第二抗刻蚀层图案。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极之前，还包括：

对所述第一抗刻蚀层图案进行减薄处理。

4.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述导电介质包括下列中的部分或全部：

金属粒子；

导电合金粒子；

金属氧化物粒子；

非金属导电粒子。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电介质包括纳米石墨烯。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述第一抗刻蚀层图案为掺杂有所述导电介质的光刻胶层图案，所述在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，包括：

在将掺杂有所述导电介质的光刻胶层材料在所述金属氧化物有源层上涂覆成薄膜后，对所述薄膜进行热固化处理形成光刻胶层；

在所述光刻胶层形成所述第一抗刻蚀层图案。

7.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管为根据权利要求1～6任一所述方法制备的。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7所述的金属氧化物薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的金属氧化物薄膜晶体管。