[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置用以解决现有技术中存在的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。本发明方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。由于第一抗刻蚀层图案掺杂有电阻率较低的导电介质，使得源极与金属有源层和漏极与金属有源层之间形成良好的电接触区域，从而提高降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已经取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示装置)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，发光二极管)显示装置。薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)是实现液晶显示装置和OLED显示装置大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

在现有技术中，已实现产业化的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管等。随着技术的发展，出现了金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高的优点，使得薄膜晶体管可以做的很小，而同时使平板显示装置的分辨率越高，显示效果越好；同时金属氧化物薄膜晶体管还具有特性不均现象少、材料和工艺成本降低、工艺温度低、可利用涂布工艺、透明率高、带隙大等优点，因此备受业界关注。

但是目前制作金属氧化物薄膜晶体管一般要增加一次构图工艺来设置刻蚀阻挡层，主要原因在于在刻蚀形成源漏金属电极时会腐蚀氧化物半导体材料形成的有源层，通过在有源层上方增加刻蚀阻挡层，以便保护有源层在刻蚀形成源漏金属电极的过程中不被源漏电极刻蚀液腐蚀，而这一层刻蚀阻挡层位于制备完成金属氧化物薄膜晶体管的源极和金属氧化物有源层以及漏极和金属氧化物有源层之间，降低了金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。

综上，现有的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，用以解决现有技术中存在的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。

本发明方法包括：

在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；

在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。

可选地，若第一抗刻蚀层图案为掺杂有导电介质的光刻胶层图案；

制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极，包括：

在第一抗刻蚀层图案上覆盖源漏极金属层；

在源漏极金属层上形成第二抗刻蚀层图案，其中第二抗刻蚀层图案为光刻胶层图案；

刻蚀源漏极金属层中未被第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极。

可选地，刻蚀源漏极金属层中未被第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极之后，还包括：

通过一次构图工序剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案。

可选地，通过一次构图工序剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案，包括：

利用光刻胶剥离液剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案。