[发明专利]组分含量高度可控的三元异质结构材料及其制备方法

权利要求书

1.一种组分含量高度可控的三元异质结构材料的制备方法，是：

将羟基化碳纳米管分散在可溶性锡盐的水溶液中得到一混合分散液；

以得到的混合分散液进行水热反应，得到碳纳米管负载纳米SnO₂复合材料；

以所述碳纳米管负载纳米SnO₂复合材料为前驱体，惰性环境下通入H₂S气体进行硫化处理，得到SnO₂/SnS₂/CNTs三元异质结构材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的羟基化碳纳米管是羟基含量2～6wt%、长度1～30μm的碳纳米管。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述混合分散液中，Sn⁴⁺浓度0.008～0.08mol/L，羟基化碳纳米管浓度0.4～4g/L。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述水热反应的反应温度140～180℃，反应时间12～16h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是将所述前驱体在300～450℃硫化处理0.5～6h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述H₂S气体的体积浓度为0.1%～1%。

7.根据权利要求1、5或6所述的方法，其特征是将所述硫化处理在固定床硫化反应器中进行，所述固定床硫化反应器内的气体体积流量10～80ml/min。

8.以权利要求1所述方法制备得到的三元异质结构材料，由SnO₂纳米颗粒、SnS₂纳米片和羟基化碳纳米管组成，其中羟基化碳纳米管含量15～25wt%，SnO₂含量10～70wt%，SnS₂含量10～70wt%。

9.根据权利要求8所述的三元异质结构材料，其特征是所述SnS₂纳米片直径50～250nm，羟基化碳纳米管缠绕在SnS₂纳米片之间，SnO₂纳米颗粒直径5～10nm，修饰在SnS₂纳米片与羟基化碳纳米管的表面。

10.权利要求8所述三元异质结构材料作为钠离子电池负极材料的应用。