[发明专利]半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，依次配置有：

半导体层、

导体层、

电介质多层膜、

以Ag为主成分的反射层，含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子与所述电介质多层膜相接，或配置于接近所述电介质多层膜的一侧。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子分散于所述反射层中。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子偏向所述电介质多层膜侧分布。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

相对于所述反射层的总质量，所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子的含量为0.01质量％以上且5质量％以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述反射层含有选自Ga₂O₃、Nb₂O₅、HfO₂的至少一种所述氧化物。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述电介质多层膜包含选自Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al的至少一种元素的氧化物或氮化物作为主成分。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

在所述半导体层的与设置有所述导体层的面的相反侧的面具有基板。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，

所述基板具有透光性。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

在所述反射层的与设置有所述电介质多层膜的面的相反侧的面上，从所述反射层侧起依次具备保护膜和Au层。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件是半导体发光元件。

12.一种半导体装置，其特征在于，具有：

权利要求1～11中任一项所述的半导体元件、

以所述反射层成为安装面侧的方式将所述半导体元件配置于所述安装面的基台、

覆盖所述半导体元件的荧光体。

13.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体层上形成导体层的工序；

在所述导体层上形成电介质多层膜的工序；

在所述电介质多层膜上形成以Ag为主成分的反射层的工序，所述反射层含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

形成所述反射层的工序是溅射法或蒸镀法。

15.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

形成所述反射层的工序采用：使用Ag靶和氧化物靶的同时溅射法、使用含有Ag及氧化物的合金靶的溅射法、或使用含有Ag及氧化物的合金蒸镀材料的蒸镀法。

16.如权利要求13～15中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

形成所述反射层的工序使所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子与所述电介质多层膜相接，或配置于接近所述电介质多层膜的一侧。

17.如权利要求13～16中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子分散于所述反射层中。

18.如权利要求13～17中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子偏向所述电介质多层膜侧分布。