[发明专利]半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本说明书涉及半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法。

背景技术

例如，已知有将基板上形成有半导体发光元件构造及电极的半导体发光元件经由焊接凸点安装在安装基板上的半导体发光装置。在半导体发光元件中，为了使光的输出增大，例如采取了设置对有源层发出的光进行反射的反射层，使光反射率提高，从而提高光输出效率的方法。

作为提高上述光输出效率的方法，例如在专利文献1中公开有一种氮化物系半导体元件，其在晶体基板的背面具备：由Ag等金属材料构成的反射层、设置于晶体基板和反射层之间的密接层、设置于反射层的与密接层相反侧的保护层。

另外，专利文献2公开有氮化物系发光二极管，其具备反射层，并且以与反射层的反射面相接的方式设置有用于促进半导体发光元件中的反射的电介质多层膜。

在上述的构成中，如果在反射层使用Ag，会使电介质多层膜和反射层之间的密接性降低，在电介质多层膜和反射层的界面容易发生反射层的剥离。

因此，近年在尝试以下技术，即，在电介质多层膜和Ag反射层之间设置Ni薄膜，以提高电介质多层膜和Ag反射层之间的密接性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－72148号公报

专利文献2：日本特开2007－243074号公报

发明内容

然而，在现有的半导体元件中，在电介质多层膜和Ag反射层之间设有Ni薄膜的情况下，在光反射率的提高方面还有改进的余地。

本说明书实施方式的课题在于，提供半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法，其电介质多层膜和反射层之间的密接性高，而且反射层的反射率高。

本说明书的实施方式的半导体元件依次配置有：半导体层、导体层、电介质多层膜、以Ag为主成分的反射层，该反射层含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子。

本说明书的实施方式的半导体装置具有前述的半导体元件、以所述反射层成为安装面侧的方式将所述半导体元件配置于所述安装面的基台、覆盖所述半导体元件的荧光体。

本说明书的实施方式的半导体元件的制造方法包括：在半导体层上形成导体层的工序；在所述导体层上形成电介质多层膜的工序；在所述电介质多层膜上形成以Ag为主成分的反射层的工序，所述反射层含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子。

根据本说明书的半导体元件及半导体装置，电介质多层膜和反射层之间的密接性高，而且反射层的反射率高。另外，根据本说明书的半导体元件的制造方法，能够制造出电介质多层膜和反射层之间的密接性高，而且反射层的反射率高的半导体元件。

附图说明

图1A是示意表示实施方式的半导体发光元件的构成的平面图。

图1B是示意表示实施方式的半导体发光元件的构成的剖视图，表示图1A的IB－IB线的剖面。

图2A是示意表示实施方式的半导体发光元件中的电介质多层膜和反射层的界面及氧化物状态的剖视图。

图2B是示意表示实施方式的半导体发光元件中的电介质多层膜和反射层的界面及氧化物状态的剖视图。

图3A是示意表示参考例的半导体发光元件中的电介质多层膜和反射层的界面状态的剖视图。

图3B是示意表示参考例的半导体发光元件中的电介质多层膜和反射层的界面及层状氧化物的状态的剖视图。

图4是表示实施方式的半导体发光元件的制造方法流程的流程图。

图5是示意表示实施方式的发光装置的构成的剖视图。

图6是分别表示包含Ni/Ag反射层的发光装置和包含Ag(Nb₂O₅)反射层的发光装置各自的发光光谱的图。

图7是对安装有实施例及比较例的半导体发光元件的半导体发光装置的发光功率及光通量进行比较的图。

图8是说明实施例及比较例的电介质多层膜/添加氧化物的Ag反射层构造的界面反射率的示意图。

图9是表示实施例及比较例的反射层的界面反射率的图。

符号说明

1 基板

2 半导体层叠体

21n型半导体层(第一半导体层)

22有源层

23p型半导体层(第二半导体层)

31n侧导体层

32p侧导体层

4 电介质多层膜

5 n侧电极

51n侧反射层

52n侧上部电极