[发明专利]一种光罩及玻璃基底的制作方法在审
申请号: | 201710320815.1 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN106933023A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 柳铭岗 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G02F1/13 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,何娇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 基底 制作方法 | ||
1.一种光罩,所述光罩包括透光区和阻光区,其特征在于,所述光罩还包括部分透光区;
所述部分透光区位于所述阻光区和透光区之间,以允许光线部分透过;
所述部分透光区包括若干相同的遮光膜,相邻遮光膜之间形成透光的缝隙,所述部分透光区的透过率沿透光区向阻光区方向逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述遮光膜为矩形。
3.根据权利要求2所述的光罩,其特征在于,所述缝隙的宽度沿透光区向阻光区方向线性减小,所述遮光膜宽度不变。
4.根据权利要求2所述的光罩,其特征在于,所述遮光膜的宽度沿透光区向阻光区方向线性增大,所述缝隙宽度不变。
5.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述遮光膜和阻光区采用相同的遮光材料制成。
6.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述遮光膜和阻光区采用透过率为零的铬膜。
7.一种玻璃基底的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、在玻璃基板上沉积薄膜;
步骤2、在所述薄膜上涂布光阻,并利用权利要求1-6中任一项所述的光罩对其进行曝光处理;
步骤3、对曝光后的玻璃基板依次进行显影、蚀刻和剥膜处理,以得到所述玻璃基底。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,通过调整部分透光区遮光膜的宽度、数量和缝隙的宽度来调整部分透光区的干涉程度,以控制对应部分透光区位置的光阻的曝光程度。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述步骤2中,利用所述缝隙的宽度沿透光区向阻光区方向线性减小,所述遮光膜宽度不变的光罩对玻璃基板进行曝光处理,或者利用所述遮光膜的宽度沿透光区向阻光区方向线性增大,所述缝隙宽度不变的光罩对玻璃基板进行曝光处理。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,对所述显影后的玻璃基板进行蚀刻和剥膜处理后,所述薄膜的边缘形成锥度角平缓的过渡面。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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