[发明专利]一种光罩及玻璃基底的制作方法在审
申请号: | 201710320815.1 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN106933023A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 柳铭岗 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G02F1/13 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,何娇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 基底 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器生产技术领域,尤其是涉及一种光罩及玻璃基底的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄等优点被广泛应用于电视、电脑等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
通常液晶显示面板由彩膜基板(Color Filter,CF)、薄膜晶体管基板(Thin Film Transisitor,TFT)、以及夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(Liquid Crystal,LC)和密封胶框组成。其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
其中,玻璃基底制备时,采用退光阻法同时蚀刻光阻和薄膜时,薄膜的边缘会形成锥度角(taper angle)较大的坡面,导致在其上沉积次道薄膜时,锥度角处的光阻厚度大于其它位置光阻的厚度,以致在后续的曝光、显影、蚀刻和剥膜制程中,无法完全去除锥度角处的薄膜,导致该位置薄膜残留。参见图8,显示了薄膜残留的原理。此残留会造成像素内部的共通电极短路,导致面板出现亮点缺陷,大大影响成品良率,并且锥度角过大还容易导致薄膜在爬坡时断裂。
现有技术中常规的光罩结构,包括透光区和非透光区,有的光罩结构还包括部分透光区,但其部分透光区内遮光膜之间透光的间隙保持一致,使得光罩结构在基底锥度角位置透过率仍是单一的,只是增加了一个过渡的台阶,对锥度角的改善效果并不理想。
发明内容
针对现有技术中所存在的上述技术问题,本发明提出了一种光罩。该光罩应用于玻璃基底的制备中,能够通过曝光区和未曝光区透过率的过渡,使得曝光区和未曝光区之间的过渡更加平缓,从而降低过渡区锥度角处光阻残留进而导致薄膜在锥度角底部无法完全蚀刻造成的风险,同时,该光罩还可以降低薄膜在锥度角处爬坡时断裂的风险。
根据本发明的一方面,提出了一种光罩,该光罩包括透光区和阻光区,该光罩还包括部分透光区;所述部分透光区位于所述阻光区和所述透光区之间,以允许光线部分透过。所述部分透光区包括若干相同的遮光膜,相邻遮光膜之间形成透光的缝隙,所述部分透光区的透过率沿透光区向阻光区方向逐渐减小。
所述光罩通过设置部分透光区,使得透过率沿透光区向阻光区方向呈现规律变化。通过该种设置,使得光阻在显影后形成平缓的过渡面,从而使得在后续的蚀刻和剥膜处理中,薄膜的边缘能够形成平缓的过渡面,保证交迭其上的次道薄膜在爬坡时不易断裂,同时降低该次道薄膜在其后制程蚀刻薄膜处理中锥度角处次道薄膜残留的风险。
作为对该光罩的进一步改进,所述遮光膜为矩形。
作为对该光罩的进一步改进,所述缝隙的宽度沿透光区向阻光区方向线性减小,所述遮光膜宽度不变。
作为对该光罩的进一步改进,所述遮光膜的宽度沿透光区向阻光区方向线性增大,所述缝隙宽度不变。
该种矩形结构的遮光膜,缝隙的宽度沿透光区向阻光区方向线性减小,所述遮光膜宽度不变,或者遮光膜的宽度沿透光区向阻光区方向线性增大,所述缝隙宽度不变,使得光罩上沿透光区向阻光区方向的透过率呈现线性较小的过渡,使得光阻在显影后形成平缓的过渡面,从而使得在后续的蚀刻和剥膜处理中,薄膜的边缘能够形成平缓的过渡面,进而使得薄膜的锥度角变小,锥度角的横向宽度变大,保证交迭其上的次道薄膜在爬坡时不易断裂,同时降低该次道薄膜在其后制程蚀刻薄膜处理中锥度角处次道薄膜残留的风险。
作为对该光罩的进一步改进,所述遮光膜和阻光区采用相同的遮光材料制成。
作为对该光罩的进一步改进,所述遮光膜和阻光区采用透过率为零的铬膜。
根据本发明的第二方面,提供一种玻璃基底的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、在玻璃基板上沉积薄膜;
步骤2、在所述薄膜上涂布光阻,并利用权利要求1-6中任一项所述的光罩对其进行曝光处理;
步骤3、对曝光后的玻璃基板依次进行显影、蚀刻和剥膜处理,以得到所述玻璃基底。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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