[发明专利]金离子石墨烯的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及石墨烯的技术领域，尤其涉及一种金离子石墨烯的制造方法。

背景技术

石墨烯的应用已是全世界的关注，然而对于石墨烯的研究，还在起步阶段。石墨烯是非常有特质的二维新型材料，然而这新型材料的应用上主要在材料添加上居多，要发展更深层和带功能性方向的材料才是科技进步的方向，这就要求必须在原料上制造出带功能特性的材料。原有石墨烯制造出来的材料叫N 型石墨烯，意思是说，现在的石墨烯材料作为添加用途的材料是没有带自主特性的、和本身没带离子的石墨烯叫N 型石墨烯，N的意义指：不带离子特性的石墨烯no ionic graphene或中性石墨烯 neutral graphene 。我们有必要在添加离子生产上做工作，做出不一样的和带功能性的石墨烯，这也是是未来必要的研究课题和应用课题。

在石墨烯作产品的应用方面主要是以添加剂为主，但是，石墨烯本身带离子的功能性应用并不多。为了普及使用石墨烯带功能特性方面的应用，镶嵌离子技术就是今后的必然发展方向。

在工业应用上，由以过往的机电产品的应用，到今天的电子产品应用上，在很材组件和零件关键部位上，都应用黄金材料。由于黄金稳定性强和可靠性高，随着科技发展，黄金应用越来越多，由于材料昂贵，又没有其它替代品，以致生产成本压力大。尤其是今天的电子世界上，黄金材料应用需求越来越多，增长速度越来越快。

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种解决黄金需求问题的金离子石墨烯的制造方法。

为了达到上述目的，本发明一种金离子石墨烯的制造方法，包括以下制作过程：

S1、渗透剂分散：将石墨烯加入渗透剂中进行分散，渗透剂为非离子螯合物；

S2、金离子分散：向混合物中加入金离子化合物溶液进行进一步的分散，实现金离子化合物溶液均匀分散于石墨烯上，让石墨烯晶格充分接触金离子；

S3、金离子嵌入反应：将充分接触金离子的混合物料放入反应釜内进行离子渗入反应；

S4、烘干：将生成金离子石墨烯溶液烘干成成品，测定是否达到出厂参数，并将达标产品封装。

其中，在S1中使用的石墨烯为N型石墨烯，该N型石墨烯为四层以下的2D石墨烯材料，所述金离子化合物溶液的pH值在6.8-8.4之间。

其中，在S1中的渗透剂为非离子螯合剂（NH4）4‧EDTA或（NH4）4‧PTDA。

其中，在S1中渗透剂与石墨烯的混合摩尔比为2:1。

其中，在S2中金离子化合物溶液与石墨烯的混合摩尔比为1:3。

其中，在S3中充分接触金离子的混合物料在反应釜内首先进行真空搅拌，再进行加温加压反应。

其中，真空搅拌的功率为18ps-26ps，处理时间为0.5h。

其中，加温加压反应的条件为氮气加到两个大气压，温度加热到450-600℃，加温加压的反应时间为8h。

本发明一种金离子石墨烯的应用，代替黄金应用在电子产品的零部件内。

其中，金属石墨烯代替黄金应用在电子零件的接线点位处作为镀膜。

本发明的有益效果是：

与现有技术相比，本发明的金离子石墨烯的制造方法，主要是在石墨烯晶格上镶嵌入金离子，并将金离子石墨烯代替黄金作为镀膜在电子零件的接线点位上使用。本发明的金离子石墨烯不仅带有黄金物质的特点，还附加了石墨烯的功能，填补了黄金物质在应用上的不足之处，在应用上更加稳定，散热功能和导电质量更好，更是大大降低了使用成本。

附图说明

图1为本发明一种金离子石墨烯的制造方法的工艺流程图。

具体实施方式

为了更清楚地表述本发明，下面结合附图对本发明作进一步地描述。

参阅图1，本发明一种金离子石墨烯的制造方法，包括以下制作过程：

S1、渗透剂分散：将四层以下的2D石墨烯材料加入渗透剂中进行分散，渗透剂为非离子螯合剂（NH4）4‧EDTA或（NH4）4‧PTDA，渗透剂与石墨烯的混合摩尔比为2:1；

S2、金离子分散：向混合物中加入金离子化合物溶液进行进一步的分散，实现金离子化合物溶液均匀分散于石墨烯上，让石墨烯晶格充分接触金离子，金离子化合物溶液的pH值在6.8-8.4之间，金离子化合物溶液与石墨烯的混合摩尔比为1:3；