[发明专利]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710321866.6 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107146805B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 谢华飞 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 代理人: 孙伟峰
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:

第一导电层,其设置于基底上;

绝缘层,其设置于所述第一导电层和裸露的基底上;

有源层,其设置于所述绝缘层上;

第二导电层,其设置于所述有源层上;

钝化层,其设置于所述第二导电层和裸露的绝缘层上;其中,所述第一导电层、所述有源层和所述第二导电层采用透明可导电的碳化合物材料制成;

第一平坦层,其设置于所述钝化层上;

第三导电层,其设置于所述第一平坦层上,并采用透明可导电的碳化合物材料制成;

有机发光二极管,所述有机发光二极管包括:第二平坦层,其设置于所述第三导电层和裸露的第一平坦层上;阳极,其设置于所述第二平坦层上;发光层,其设置于所述阳极上;阴极,其设置于所述发光层上;所述阳极和所述阴极采用掺杂石墨烯材料制成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层采用石墨烯材料制成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层采用半导体型碳纳米管材料制成。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述掺杂石墨烯材料包括氮掺杂石墨烯、磷掺杂石墨烯、硅掺杂石墨烯、硼掺杂石墨烯和功能化石墨烯。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述发光层采用硅量子点材料、碳量子点材料或石墨烯量子点材料制成。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机发光二极管还包括:

空穴注入层,其设置于所述阳极上;

空穴传输层,其设置于所述空穴注入层和所述发光层之间;

电子传输层,其设置于所述发光层和所述阴极之间。

7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。

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