[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710321866.6 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107146805B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
第一导电层,其设置于基底上;
绝缘层,其设置于所述第一导电层和裸露的基底上;
有源层,其设置于所述绝缘层上;
第二导电层,其设置于所述有源层上;
钝化层,其设置于所述第二导电层和裸露的绝缘层上;其中,所述第一导电层、所述有源层和所述第二导电层采用透明可导电的碳化合物材料制成;
第一平坦层,其设置于所述钝化层上;
第三导电层,其设置于所述第一平坦层上,并采用透明可导电的碳化合物材料制成;
有机发光二极管,所述有机发光二极管包括:第二平坦层,其设置于所述第三导电层和裸露的第一平坦层上;阳极,其设置于所述第二平坦层上;发光层,其设置于所述阳极上;阴极,其设置于所述发光层上;所述阳极和所述阴极采用掺杂石墨烯材料制成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层采用石墨烯材料制成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层采用半导体型碳纳米管材料制成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述掺杂石墨烯材料包括氮掺杂石墨烯、磷掺杂石墨烯、硅掺杂石墨烯、硼掺杂石墨烯和功能化石墨烯。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述发光层采用硅量子点材料、碳量子点材料或石墨烯量子点材料制成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机发光二极管还包括:
空穴注入层,其设置于所述阳极上;
空穴传输层,其设置于所述空穴注入层和所述发光层之间;
电子传输层,其设置于所述发光层和所述阴极之间。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的