[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710321866.6 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107146805B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本发明提供了一种阵列基板及显示装置,包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:第一导电层,其设置于基底上;绝缘层,其设置于第一导电层和裸露的基底上;有源层,其设置于绝缘层上;第二导电层,其设置于有源层上;钝化层,其设置于第二导电层和裸露的绝缘层上,其中,第一导电层、有源层和第二导电层采用透明可导电的碳化合物材料制成。本发明可以构建绿色、廉价器件,减少金属元素对环境和人体的潜在危害。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体地说,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
目前使用的液晶显示装置或有机发光二极管显示装置中都含有铟、铜、钼、锡等昂贵的重金属。这些重金属材料资源有限、成本高,而且具有一定的环境污染危害,因此减少显示装置中的金属、甚至不用金属元素是未来发展的趋势。比如ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)电极,其机械稳定性差,并且铟资源日益缺少导致其成本不断提高,同时也带来金属环境问题,因此急需一些可替代的环保电极材料。
另外,随着传统硅半导体器件的尺寸不断缩小,一些不可避免的制约因素不断显现出来,如短沟道效应、小尺寸下掺杂浓度的统计涨落造成器件性质不均匀性。
发明内容
为解决以上问题,本发明提供了一种阵列基板及显示装置,用以构建绿色、廉价器件,减少金属元素对环境和人体的潜在危害。
根据本发明的一个方面,提供了一种阵列基板,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
第一导电层,其设置于基底上;
绝缘层,其设置于所述第一导电层和裸露的基底上;
有源层,其设置于所述绝缘层上;
第二导电层,其设置于所述有源层上;
钝化层,其设置于所述第二导电层和裸露的绝缘层上,
其中,所述第一导电层、所述有源层和所述第二导电层采用透明可导电的碳化合物材料制成。
根据本发明的一个实施例,还包括:
第一平坦层,其设置于所述钝化层上;
第三导电层,其设置于所述第一平坦层上,并采用透明可导电的碳化合物材料制成。
根据本发明的一个实施例,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层采用石墨烯材料制成。
根据本发明的一个实施例,所述有源层采用半导体型碳纳米管材料制成。
根据本发明的一个实施例,还包括有机发光二极管,所述有机发光二极管包括:
第二平坦层,其设置于所述第三导电层和裸露的第一平坦层上;
阳极,其设置于所述第二平坦层上;
发光层,其设置于所述阳极上;
阴极,其设置于所述发光层上。
根据本发明的一个实施例,所述阳极和所述阴极采用掺杂石墨烯材料制成。
根据本发明的一个实施例,所述掺杂石墨烯材料包括氮掺杂石墨烯、磷掺杂石墨烯、硅掺杂石墨烯、硼掺杂石墨烯和功能化石墨烯。
根据本发明的一个实施例,所述发光层采用硅量子点材料、碳量子点材料或石墨烯量子点材料制成。
根据本发明的一个实施例,所述有机发光二极管还包括:
空穴注入层,其设置于所述阳极上;
空穴传输层,其设置于所述空穴注入层和所述发光层之间;
电子传输层,其设置于所述发光层和所述阴极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的