[发明专利]片材、胶带及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种片材，其包含：

切割薄膜，其包含基材层及位于所述基材层上的粘合剂层，和

半导体背面保护薄膜，其位于所述粘合剂层上，

所述半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm²以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力，

25℃剪切粘接力是如下值：在70℃下，将所述半导体背面保护薄膜固定于所述硅芯片，在120℃加热2小时，然后在剪切速度500μm/秒、25℃下进行测定而得到的值。

2.根据权利要求1所述的片材，其中，所述半导体背面保护薄膜包含热塑性树脂及热固化性树脂，

所述热塑性树脂含量相对于所述热固化性树脂含量的重量比为1以下。

3.一种胶带，其包含：

剥离衬垫，和

位于所述剥离衬垫上的权利要求1或2所述的片材。

4.一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：

将权利要求1或2所述的片材的所述半导体背面保护薄膜与半导体晶圆贴合在一起的工序，

使所述半导体背面保护薄膜固化的工序，和

对位于固化后的所述半导体背面保护薄膜上的所述半导体晶圆进行切割的工序。