[发明专利]片材、胶带及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710325250.6 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107393857B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 木村龙一;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 胶带 半导体 装置 制造 方法 | ||
本发明提供片材、胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式提供能够减少切割时芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mmsupgt;2/supgt;以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。
技术领域
本发明涉及片材、胶带和半导体装置的制造方法。
背景技术
使用切割薄膜一体型半导体背面保护薄膜时，有时将位于切割薄膜上的半导体背面保护薄膜和半导体晶圆贴合在一起，并进行切割。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-222896号公报
专利文献2：WO2014/092200
发明内容
有时由于刀片切割时的冲击、摩擦导致在芯片侧面产生龟裂。需要减少芯片侧面的龟裂(侧面破片)。这是因为，龟裂有使外观变差、使可靠性降低的担心。
本发明的一个方式的目的在于，提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法。
本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm2以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。由于25℃剪切粘接力为1.7kgf/mm2以上，因此，能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂。其原因可能是因为能够抑制切割时半导体芯片的振动。25℃剪切粘接力可以如下来测定：在70℃下，将半导体背面保护薄膜固定于硅芯片，在120℃加热2小时，然后在剪切速度500μm/秒、25℃下进行测定。
本发明的一个方式涉及胶带。胶带包含剥离衬垫和位于剥离衬垫上的片材。
本发明的一个方式涉及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法可以包括：将片材的半导体背面保护薄膜和半导体晶圆贴合在一起的工序。半导体装置的制造方法可以包括：使半导体背面保护薄膜固化的工序。半导体装置的制造方法可以包括：对位于固化后的半导体背面保护薄膜上的半导体晶圆进行切割的工序。
附图说明
图1为胶带的俯视示意图。
图2为胶带的一部分的截面示意图。
图3为半导体装置的制造工序的截面示意图。
图4为半导体装置的制造工序的截面示意图。
图5为半导体装置的制造工序的截面示意图。
图6为变形例3的片材的截面示意图。
图7为片材和固定于片材的晶圆的截面示意图，示出了切割刀片的切入深度。
图8为切割后的芯片的侧面图，示出了裂纹的深度。
1 胶带
11 半导体背面保护薄膜
12 切割薄膜
121 基材层
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