[发明专利]半导体装置封装和其形成方法

权利要求书

1.一种准备好装配的半导体装置封装，其包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有晶圆翘曲；

第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；

第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；

第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上；

第二凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；

第三导电柱，其安置于所述第二凸块下金属层上；以及

第四导电柱，其安置于所述第三导电柱上；

其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱与所述第四导电柱顶部表面具有大体上相同的层面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱是铜柱，且所述第二导电柱是包含抗氧化剂的焊料柱。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中氧化锡层形成于所述第二导电柱的表面上，且所述氧化锡层的厚度小于10纳米(nm)。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱具有第一周界、所述第二导电柱具有第二周界，且所述第二周界大体上相同于所述第一周界。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱的横向周边与所述第二导电柱的横向周边对准。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，

其中所述第三导电柱的材料不同于所述第四导电柱的材料，且所述第四导电柱的所述材料包含抗氧化剂。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱与所述第三导电柱具有大体上相同的高度，且所述第二导电柱与所述第四导电柱具有不同高度。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述第二导电柱比所述第四导电柱更接近所述半导体衬底的中心，且所述第四导电柱的高度大于所述第二导电柱的高度。

9.一种半导体封装组合件，其包括：

第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有晶圆翘曲；

第一凸块下金属层，其安置于所述第一半导体衬底上；

第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；

第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上，其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料；

第二凸块下金属层，其安置于所述第一半导体衬底上；

第三导电柱，其安置于所述第二凸块下金属层上；

第四导电柱，其安置于所述第三导电柱上，其中所述第三导电柱的材料不同于所述第四导电柱的材料；

第二半导体衬底；

第一导电垫，其安置于所述第二半导体衬底上；以及

第二导电垫，其安置于所述第二半导体衬底上；

其中所述第二导电柱接合到所述第一导电垫，所述第四导电柱接合到所述第二导电垫，且所述第二导电柱与所述第四导电柱顶部表面具有大体上相同的层面。

10.根据权利要求9所述的半导体封装组合件，其中所述第二导电柱比所述第四导电柱更接近所述第一半导体衬底的中心，且所述第四导电柱的所述材料的体积大于所述第二导电柱的所述材料的体积。

11.根据权利要求9所述的半导体封装组合件，其中所述第二导电柱或所述第四导电柱的至少一者包含抗氧化剂。

12.一种形成准备好装配的半导体装置封装的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一凸块下金属层；

在所述第一凸块下金属层上形成第一导电柱；以及

在所述第一导电柱上形成第二导电柱，计算所述半导体衬底的曲度以决定所述第二导电柱的高度；

其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，所述第二导电柱准备好以一柱状与第一导电垫进行装配。