[发明专利]一种等离子体装置

权利要求书

1.一种等离子体装置，包括反应腔室和设置于所述反应腔室中的承载装置，其特征在于，还包括栅网和与所述栅网电连接的栅网电源，其中，所述栅网设置于所述承载装置的上方且与所述反应腔室的腔室壁绝缘；所述栅网用于将所述反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区，且所述栅网的电位小于所述等离子体工艺区的电位、所述等离子体工艺区的电位小于所述等离子体产生区的电位；

所述栅网电源加载至所述栅网上的电压低于所述等离子体产生区的等离子体电位的电压且低于所述等离子体工艺区的等离子体电位的电压，以调整所述等离子体参数；

所述栅网电源为直流电源，所述直流电源加载至所述栅网的电压范围为-50V～0V，并且：

所述直流电源的电压固定不变，或者，

所述直流电源的电压周期性扫描变化，且扫描周期为0.1s～10s。

2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述栅网距所述承载装置的承载面的竖直距离范围为2mm～80mm。

3.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述栅网包括多个栅孔，多个所述栅孔阵列排列，相邻所述栅孔之间形成栅梁。

4.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，所述栅孔的形状为圆形或多边形。

5.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，所述栅孔的孔径的范围为0.1mm～100mm，或者所述栅孔的长度及宽度的范围为0.1mm～100mm，所述栅梁的尺寸范围为0.02mm～30mm，所述栅网的厚度范围为0.02mm～30mm。

6.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述栅网采用铝合金、不锈钢、碳化硅、硅或石墨导电材料中的任一种形成。

7.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述反应腔室的所述腔室壁沿腔室内部形成突沿，所述栅网置于所述突沿上；或者，所述反应腔室的底部设置有支撑部，所述栅网设置于所述支撑部的上。

8.根据权利要求1-7任一项所述的等离子体装置，其特征在于，该所述等离子体装置还包括等离子体产生电源，所述等离子体产生电源为射频直流电源或微波电源。