[发明专利]单晶硅的制备方法在审
| 申请号： | 201710327143.7 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107099842A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王思锋;潘永娥 | 申请（专利权）人： | 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 755099 宁*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述碳酸钡层通过将碳酸钡粉撒在石英坩埚的内壁底部形成。
3.根据权利要求2所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述碳酸钡粉的质量为4.2g～7g。
4.根据权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，在装入硅料之前，还包括在所述石英坩埚的上沿形成氢氧化钡层。
5.根据权利要求4所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述氢氧化钡层通过喷涂形成。
6.根据权利要求5所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述喷涂的喷涂液中水与氢氧化钡的质量比为48～54：1。
7.根据权利要求5所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述喷涂的厚度为0.2mm～0.6mm。
8.根据权利要求5所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述喷涂的宽度为100mm～150mm。
9.根据权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在拉晶过程中，在提盖子中加入碳酸钡粉。
10.根据权利要求9所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，在提盖子中加入的碳酸钡粉的质量为3.4g～4g。
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