[发明专利]石英晶片去污装置和石英晶片去污方法

权利要求书

1.一种石英晶片去污方法，其步骤包括：

石英晶片分装：提供一种清洗筐，将具有相同频率的石英晶片置于所述清洗筐中；

酸洗：首先采用水浴槽将酸洗液加热至40℃～100℃，然后将所述清洗筐连同置于其中的所述石英晶片一起浸入所述酸洗液中进行恒温酸洗浸泡处理，得到酸洗石英晶片；

热水淋洗：采用40℃～90℃的热水对所述清洗筐连同置于其中的所述酸洗石英晶片进行淋洗处理，得到淋洗石英晶片；

清洗干燥：将所述淋洗石英晶片从所述清洗筐中取出，然后依次对所述淋洗石英晶片进行超声清洗、脱水干燥处理，得到洁净的石英晶片。

2.一种石英晶片去污装置，其特征在于：它包括水浴槽、清洗容器和清洗筐，所述水浴槽上固定设置有容器固定孔，所述清洗容器可拆卸设置于所述容器固定孔内，所述清洗筐可拆卸设置于所述清洗容器中，所述清洗筐上开设有多个透液孔。

3.根据权利要求2所述的石英晶片去污装置，其特征在于：所述清洗筐的高度小于所述清洗容器的高度。

4.根据权利要求3所述的石英晶片去污装置，其特征在于：所述清洗容器的顶部上还设置有密封盖。

5.根据权利要求2～4任一项所述的石英晶片去污装置，其特征在于：所述清洗筐为桶状结构，所述清洗筐包括筐底和环绕所述筐底四周设置的筐壁，所述筐底上和筐壁上分别设置有多个所述透液孔。

6.根据权利要求5所述的石英晶片去污装置，其特征在于：位于所述清洗筐筐底上的多个所述透液孔呈多个同心圆形式排布。

7.根据权利要求6所述的石英晶片去污装置，其特征在于：位于所述清洗筐筐壁上的多个所述透液孔呈多个间隔设置的矩阵形式排布。

8.根据权利要求7所述的石英晶片去污装置，其特征在于：所述清洗筐为聚四氟乙烯清洗筐。

9.根据权利要求8所述的石英晶片去污装置，其特征在于：所述清洗容器为烧杯。