[发明专利]一种全彩OLED微显示器件生产方法

权利要求书

1.一种全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层；

S2：在阳极层上热蒸镀OLED显示器件；

S3：对OLED显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层；

S4：在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片，形成滤光层；

S5：在滤光层上贴合玻璃盖板；

S6：对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。

2.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，在S1中，所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成，材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W。

3.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，在S2中，蒸镀的环境真空度小于10^-4Pa。

4.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，在S2中，所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构。

5.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成。

6.根据权利要求5所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂，无机材料选自Al₂O₃、TiO₂、SiNx、SiCNx、SiOx、MgF₂、ZrO₂。

7.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，在所述薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃。

8.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法，其特征在于，在S6中，采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割，所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。