[发明专利]一种全彩OLED微显示器件生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED微显示器件生产领域，尤其涉及一种全彩OLED微显示器件生产方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）同时具备全固态、自发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点，受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索，器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化，有机电致发光已经取得了长足进步，目前已经实现了产业化。根据有关研究机构的预测，OLED面板2020年产值将超过600亿美元。OLED 微显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驱动的有机发光器件，像素高达800×600以上，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等，具有广阔的市场前景和军事价值。

目前，全彩OLED微显示器件的工艺技术还不是特别成熟，成本高、良品率低，无法进行大规模的量产。尤其是，全彩OLED微显示器件的全彩化方案多采用白光OLED上加RGB彩色滤光片的技术。RGB彩色滤光片制作在玻璃盖板之上，通过CCD实现像素定位，贴合在OLED器件上，实现彩色化显示。OLED微显示器件的分辨率高，像素只有几个微米的大小，而CCD定位精度也在1μm左右，所以对位难度高，精度差，容易出现串色的问题，限制了器件分辨率的提升。

另外，传统的OLED微显示器件的制作工艺中，采用的是先机械划片再小片玻璃贴合的技术，工艺复杂。机械划片是机械力直接作用在晶圆表面，在晶圆内部产生应力损伤，热影响范围和残留应力大，易崩边，破碎，产品良率低，不利于大规模生产。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供一种全彩OLED微显示器件生产方法。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

一种全彩OLED微显示器件生产方法，包括以下步骤：

S1：提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层；

S2：在阳极层上热蒸镀OLED显示器件；

S3：对OLED显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层；

S4：在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片，形成滤光层；

S5：在滤光层上贴合玻璃盖板；

S6：对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。

进一步地，在S1中，所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成，材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W。

进一步地，在S2中，蒸镀的环境真空度小于10^-4Pa。

进一步地，在S2中，所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构。

进一步地，在S3中，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成。

进一步地，在S3中，所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂，无机材料选自Al₂O₃、TiO₂、SiNx、SiCNx、SiOx、MgF₂、ZrO₂。

进一步地，在S4中，在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃。

进一步地，在S6中，采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割，所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。

本发明与现有技术相比较，本发明的实施效果如下：

在OLED显示器件上直接制作RGB彩色滤光片，提高了器件的集成度，利用光刻制程，更加容易的实现了显示器件的高精细化，提高了分辨率。

由于RGB彩色滤光片是直接贴合在OLED显示器件上的，而不是采用

在玻璃盖板上制造RGB彩色滤光片，再进行对位贴合的方法，避免了贴合对位精度差对器件分辨率和良率的影响，也避免了刻制化的彩色滤光片玻璃盖板的定制，降低了器件的制作成本。

切割是在一整块晶圆基板上进行的，并采用激光划片的方式对晶圆基板进行切割，有效避免了切割中产生崩边、破碎、热影响范围以及应力大的问题，有助于提高器件的生产率和良品率。

附图说明

图1是本发明提出的全彩OLED微显示器件生产方法的流程示意图。

具体实施方式