[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括：

栅电极；

有机半导体层，与所述栅电极叠置；以及

绝缘层，位于所述栅电极与所述有机半导体层之间，所述绝缘层具有有机/无机混合区域，

其中：

所述有机/无机混合区域包括聚合物和无机材料，所述无机材料通过所述聚合物上的反应性基团化学地结合到所述聚合物，

所述绝缘层包括与所述聚合物相邻的空间，所述无机材料置于所述空间中，并且

所述无机材料包括铝和氧交替化学结合的基团、锆和氧交替化学结合的基团、铪和氧交替化学结合的基团或者钛和氧交替化学结合的基团。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述有机/无机混合区域中，所述无机材料的浓度沿远离所述有机半导体层的方向减小。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述绝缘层还包括包含有机材料的区域，包括所述有机材料的所述区域位于所述栅电极与所述有机/无机混合区域之间。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述有机半导体层包括聚噻吩、聚乙炔、聚(3-烷基噻吩)、聚(噻吩乙烯撑)和聚丙烯中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管，其中，所述有机半导体层包括聚(3-己基噻吩)。

6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，包括所述反应性基团的所述聚合物包括压克力树脂、聚酰亚胺、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚醚砜。

7.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述有机半导体层和所述绝缘层的边缘侧壁对齐。

8.一种用于制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成有机绝缘层；

在所述有机绝缘层上形成有机半导体层；

将所述有机半导体层和所述有机绝缘层暴露于前驱体气体氛围，所述前驱体气体穿过所述有机半导体层，并且所述有机绝缘层中的有机材料的反应性基团上的氧与所述前驱体气体的金属化学结合；

将所述有机半导体层和所述有机绝缘层暴露于反应物气体氛围，所述反应物气体穿过所述有机半导体层并且和与所述有机材料的所述反应性基团上的所述氧结合的所述金属化学结合；以及

在所述有机绝缘层中形成有机/无机混合区域，

其中，所述有机半导体层对于所述前驱体气体和所述反应物气体是不活泼的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用同一掩模执行形成所述有机绝缘层和所述有机半导体层。