[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法

说明书

一种有机薄膜晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：栅电极；有机半导体层，与栅电极叠置；绝缘层，位于栅电极与有机半导体层之间，绝缘层具有有机/无机混合区域，其中，有机/无机混合区域包括聚合物和无机材料，所述无机材料通过聚合物上的反应性基团化学地结合到聚合物，绝缘层包括与聚合物相邻的空间，无机材料置于该空间中。

于2016年5月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0057488号、名称为“有机薄膜晶体管及其制造方法(Organic Thin Film Transistor and Method ofManufacturing the Same)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种有机薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

近来，由于由有机材料制成的膜柔性以及低温沉积的可能性的缘故，已经进行了有关使用有机半导体的电子元件的许多研究。在它们之中，可通过代替传统无机薄膜晶体管将有机薄膜晶体管不同地用作显示元件中的开关薄膜晶体管或驱动薄膜晶体管。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此，它可能包含不构成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

实施例涉及一种有机薄膜晶体管及其制造方法。

实施例可通过提供一种有机薄膜晶体管来实现，所述有机薄膜晶体管包括：栅电极；有机半导体层，与栅电极叠置；绝缘层，位于栅电极与有机半导体层之间，绝缘层具有有机/无机混合区域，其中，有机/无机混合区域包括聚合物和无机材料，无机材料通过聚合物上的反应性基团化学地结合到聚合物，绝缘层包括与聚合物相邻的空间，无机材料置于该空间中。

在有机/无机混合区域中，无机材料的浓度可以沿远离有机半导体层的方向减小。

无机材料可包括氧化铝、氧化锆、氧化铪和氧化钛中的至少一种。

绝缘层还可包括包含有机材料的区域，包括有机材料的所述区域位于栅电极与有机/无机混合区域之间。

无机材料可包括铝和氧交替化学结合的基团、锆和氧交替化学结合的基团、铪和氧交替化学结合的基团或者钛和氧交替化学结合的基团。

有机半导体层可包括聚噻吩、聚乙炔、聚(3-烷基噻吩)、聚(噻吩乙烯撑)(poly(thienylenevinylene))、聚(3-己基噻吩)和聚丙烯中的至少一种。

包括反应性基团的聚合物可包括压克力树脂、聚酰亚胺、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚醚砜中的至少一种。

有机半导体层和绝缘层的边缘侧壁可以基本上对齐。

实施例可通过提供一种用于制造有机薄膜晶体管的方法来实现，所述方法包括：在基底上形成栅电极；在栅电极上形成有机绝缘层；在有机绝缘层上形成有机半导体层；将有机半导体层和有机绝缘层暴露于前驱体气体氛围；将有机半导体层和有机绝缘层暴露于反应物气体氛围；在有机绝缘层中形成有机/无机混合区域。

可使用同一掩模执行形成有机绝缘层和有机半导体层。

前驱体气体可包括反应形成氧化铝、氧化钛、氧化锆或氧化铪的材料。