[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201710330560.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106935512B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;冯京;宁策;刘松;张文林;杜建华;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成金属氧化物半导体层；
对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理，在所述金属氧化物半导体层表面形成氢氧基。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤包括：
采用六甲基二硅胺对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤包括：
采用氨气作为反应气体，在等离子发生器中对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤之后还包括：
对进行补氢处理后的金属氧化物半导体层进行退火处理。
5.根据权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，退火处理的温度范围为200-350℃，退火时长为0.5-2小时，退火氛围为空气。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-5任一项所述的制作方法制作金属氧化物薄膜晶体管的步骤。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤之前还包括：
在所述基底上形成位于所述金属氧化物半导体层上方的钝化层。
8.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的方法制成，所述金属氧化物薄膜晶体管包括：金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层的表面形成有氢氧基。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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