[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置有效

申请号：	201710330560.7	申请日：	2017-05-11
公开（公告）号：	CN106935512B	公开（公告）日：	2020-03-31
发明（设计）人：	李正亮;冯京;宁策;刘松;张文林;杜建华;孙雪菲	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	黄灿;胡影
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	金属氧化物薄膜晶体管阵列制作方法显示装置
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【说明书】：

本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置。该金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成金属氧化物半导体层；对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理，在所述金属氧化物半导体层表面形成氢氧基。表面形成有氢氧基的金属氧化物半导体层的性能更为稳定，从而使得金属氧化物薄膜晶体管的Vth基本不随Vds变化而变化，从而提高了薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是显示装置上的关键器件，对显示装置的工作性能具有十分重要的作用。近年来，金属氧化物薄膜晶体管因其迁移率高、Ioff(漏电流)低、透明、可柔性等优点被广泛应用。但是，金属氧化物薄膜晶体管存在Vth(阈值电压)随Vds(源漏电压)变化而变化的问题，这样会导致不同Vds下Vth不一样，从而导致显示异常。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置，用于解决现有的金属氧化物薄膜晶体管存在Vth随Vds变化而变化的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成金属氧化物半导体层；

对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理，在所述金属氧化物半导体层表面形成氢氧基。

优选地，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤包括：

采用六甲基二硅胺对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理。

优选地，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤包括：

采用氨气作为反应气体，在等离子发生器中对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理。

优选地，所述对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理的步骤之后还包括：

对进行补氢处理后的金属氧化物半导体层进行退火处理。