[发明专利]晶片封装体与其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

感测晶片，具有第一导电垫、感测元件以及相对的第一表面与第二表面，该感测元件位于该第一表面上且电性连接至该第一导电垫；

运算晶片，具有第二导电垫和运算元件；

保护层，环状围绕该感测晶片与该运算晶片，并暴露该感测晶片的该感测元件；

导电层，位于该感测晶片的该第二表面上，并延伸接触该第一导电垫与该第二导电垫；以及

透明基板，位于该感测晶片的该第一表面上，并连结至该感测晶片与该运算晶片，其中该透明基板包含围堰结构，该感测晶片通过该围堰结构连结至该透明基板，该运算晶片通过平板结构连结至该透明基板。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该透明基板还包含第二围堰结构，该运算晶片通过该第二围堰结构连结至该透明基板。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包含位于该感测晶片与该导电层之间和该运算晶片与该导电层之间的绝缘层。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包含位于该导电层之上且电性连接至该导电层的外部导电连结。

5.一种制造晶片封装体的方法，其特征在于，包含：

提供至少一晶片，该晶片具有导电垫以及相对的第一表面和第二表面；

粘结该晶片的该第一表面至载体基板；

在粘结该晶片的该第一表面至该载体基板之后，层压保护层于该晶片的该第二表面上，并环状围绕该晶片；

去除一部分的该保护层以暴露至少一部分的该第一表面、部分的该第二表面或其组合；

于该晶片的该第二表面上形成导电层，且该导电层延伸接触该导电垫；以及

形成该导电层之后，移除该载体基板。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该至少一晶片为多个晶片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该多个晶片之一为感测晶片，该感测晶片具有位于该晶片的该第一表面之上的感测元件。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该多个晶片之一为运算晶片，该运算晶片具有运算元件。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含连结该晶片的该第一表面至透明基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，连结该晶片的该第一表面至该透明基板包含粘贴该晶片的该第一表面至位于该透明基板上的围堰结构。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，连结该晶片的该第一表面至该透明基板包含粘贴一部分的该晶片的该第一表面至位于该透明基板上的围堰结构，且连结另一部分的该晶片的该第一表面至平板结构，再粘结该平板结构至该透明基板。

12.一种制造晶片封装体的方法，其特征在于，包含：

提供至少一晶片，该晶片具有导电垫以及相对的第一表面和第二表面；

粘结该晶片的该第二表面至载体基板；

在粘结该晶片的该第二表面至该载体基板之后，连结该晶片的该第一表面至透明基板；

层压保护层于该晶片的该第二表面上，并环状围绕该晶片；

去除一部分的该保护层以暴露至少一部分的该第一表面、部分的该第二表面或其组合；以及

于该晶片的该第二表面上形成导电层，且该导电层延伸接触该导电垫。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，于层压该保护层之前，还包含移除该载体基板。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含于该晶片与该导电层之间形成绝缘层。

15.根据权利要求12所述的方法，还包含于该导电层之上形成外部导电连结，且该外部导电连结电性连接至该导电层。