[发明专利]U形金属氧化物半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成于一基底的第一表面上的一外延层内形成一U形沟渠；

于所述U形沟渠内形成一栅氧化层；

于具有所述栅氧化层的所述U形沟渠内形成一沟渠式栅极；

至少在所述栅氧化层上覆盖一罩幕层；

以所述罩幕层作为阻挡罩幕，进行P型基极植入步骤，以在所述外延层中植入P型掺质；

进行驱入步骤，以在所述外延层中形成一P型基极区；

于所述沟渠式栅极的两侧的所述P型基极区内形成一源极；以及

于所述基底的第二表面上形成一漏极，其中所述第二表面位在所述第一表面的相对面；

其中所述栅氧化层与所述沟渠式栅极的界面具有第一p型掺杂浓度、所述栅氧化层与所述P型基极区的界面具有第二p型掺杂浓度，且所述第二p型掺杂浓度为所述第一p型掺杂浓度的100倍至10000倍。

2.如权利要求1所述的U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，覆盖所述罩幕层的方法包括：

在所述外延层、所述栅氧化层与所述沟渠式栅极上涂布一第一光阻层；以及

图案化所述第一光阻层。

3.如权利要求2所述的U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，图案化所述第一光阻层的步骤包括去除所述外延层的表面上的所述第一光阻层，并保留所述栅氧化层与所述沟渠式栅极上的所述第一光阻层。

4.如权利要求2所述的U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，图案化所述第一光阻层的步骤包括去除所述外延层的表面上以及部分所述沟渠式栅极上的所述第一光阻层，并保留所述栅氧化层上的所述第一光阻层。

5.如权利要求1所述的U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，所述罩幕层的覆盖区域大于或等于所述栅氧化层的顶面。

6.如权利要求1所述的U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，形成所述源极的步骤包括：

在所述外延层上形成露出所述沟渠式栅极的两侧的所述P型基极区的一第二光阻层；以及

进行N++植入步骤。

7.一种U形金属氧化物半导体组件，其特征在于，包括：

一基底，具有相对的第一表面与第二表面；

一外延层，形成于所述基底的所述第一表面上，且所述外延层具有一U形沟渠；

一P型基极区，形成于所述外延层中，且所述U形沟渠贯穿所述P型基极区；

一沟渠式栅极，形成于所述U形沟渠内；

一栅氧化层，位于所述沟渠式栅极与所述P型基极区之间的所述U形沟渠内，其中所述栅氧化层与所述沟渠式栅极的界面具有第一p型掺杂浓度、所述栅氧化层与所述P型基极区的界面具有第二p型掺杂浓度，且所述第二p型掺杂浓度为所述第一p型掺杂浓度的100倍至10000倍；

一源极，位于所述沟渠式栅极的两侧的所述P型基极区内；以及

一漏极，形成于所述基底的所述第二表面上。

8.如权利要求7所述的U形金属氧化物半导体组件，其特征在于，所述第二p型掺杂浓度为1E17/cm³～1E18/cm³。

9.如权利要求7所述的U形金属氧化物半导体组件，其特征在于，更包括：

一P型重掺杂区，形成于所述源极的外侧的所述P型基极区内；以及

至少一接触窗插塞，连接至所述源极与所述P型重掺杂区。

10.如权利要求9所述的U形金属氧化物半导体组件，其特征在于，所述P型重掺杂区的顶面低于所述源极的顶面，且所述接触窗插塞与所述源极的一侧面接触。