[发明专利]一种OLED面板的制备方法在审
申请号: | 201710334835.4 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107068918A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 袁志东;李蒙;袁粲;蔡振飞;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 制备 方法 | ||
1.一种OLED面板的制备方法,其特征在于,包括:
在形成有栅线和数据线的衬底基板上形成平坦层,所述平坦层形成有多个第一过孔,每个第一过孔与所述栅线和数据线在所述平坦层上的投影的交叠位置相对应;
在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧形成第一电极;
在确定所述栅线和/或数据线存在缺陷时,则通过与所述缺陷相对应的第一过孔对缺陷部位进行维修;
填充所述多个第一过孔。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述缺陷包括所述栅线和数据线短路、以及所述数据线断路。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在形成有栅线和数据线的衬底基板上形成平坦层,具体包括:
在所述衬底基板形成有所述栅线和数据线的一侧形成第一光刻胶层;
对所述第一光刻胶层进行曝光、显影,以形成所述平坦层。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影,以形成所述平坦层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述第一掩膜版至少具有与每个第一过孔一一对应的第一透光区域。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板的一侧通过镀膜工艺形成第一光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用第二掩膜版填充所述多个第一过孔。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第二掩膜版具有与每个所述第一过孔一一对应的第二透光区域。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,采用第二掩膜版通过镀膜工艺填充所述多个第一过孔。
10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一电极为由ITO形成的透明电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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