[发明专利]一种OLED面板的制备方法在审
申请号: | 201710334835.4 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107068918A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 袁志东;李蒙;袁粲;蔡振飞;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种OLED面板的制备方法。
背景技术
大尺寸的AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)面板在制造过程中,由于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极体)面板的像素电路结构较为复杂,导致阵列工艺流程更多。目前,OLED面板在制备过程中需要制备栅线(Gate)、有源层(ACT)、数据线(SD)、彩膜层(RGB)、平坦层、ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)以及像素定义层(PDL)等多层结构,仅掩膜版(Mask)就需要13张,工艺要求严格,导致在制作实际产品过程中,各种产品不良的概率都大大增加,例如:栅线和数据线在交叉位置易出现短路(Short)缺陷、数据线容易因刻蚀出现断路(Open)等缺陷,为了保证产品良率,维修工序显得更为重要。
但是,现有OLED面板在对栅线和数据线的缺陷进行维修时需要先剥离平坦层的有机膜,在剥离有机膜的同时容易因有机膜的剥离不便和工序繁琐而导致新的缺陷出现,进而增加产品出现不良的概率且降低生产效率,因此,急需提供一种能够提高生产效率和产品良率的OLED面板的制备方法。
发明内容
本发明提供了一种能够提高生产效率和产品良率的OLED面板的制备方法。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种OLED面板的制备方法,该制备方法包括:
在形成有栅线和数据线的衬底基板上形成平坦层,所述平坦层形成有多个第一过孔,每个第一过孔与所述栅线和数据线在所述平坦层上的投影的交叠位置相对应;
在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧形成第一电极;
在确定所述栅线和/或数据线存在缺陷时,则通过与所述缺陷相对应的第一过孔对缺陷部位进行维修;
填充所述多个第一过孔。
采用上述制备方法制备OLED面板时,由于在形成平坦层的工序中,使平坦层在栅线和数据线的交叠位置设置有多个第一过孔,当确定栅线和数据线在交叠位置发生短路、数据线在交叠位置发生断路等缺陷时,可以通过形成在平坦层的第一过孔对具有缺陷的栅线和/或数据线进行维修,以克服栅线和/或数据线存在的缺陷,避免产品不良的出现;并在维修之后,通过对第一过孔的填充使平坦层能够完整;因为能够通过形成在平坦层中的第一过孔进行维修,不必对平坦层中位于栅线和数据线交叠部位的有机膜进行剥离,所以能够省去现有技术中在维修栅线和/或数据线时剥离平坦层中有机膜的工序,并能防止因有机膜的剥离而导致其它缺陷的出现,所以能够提高生产效率且提高产品良率。
因此,该OLED面板的制备方法能够提高生产效率和产品良率。
优选地,所述缺陷包括所述栅线和数据线短路、以及所述数据线断路。
优选地,在形成有栅线和数据线的衬底基板上形成平坦层,具体包括:
在所述衬底基板形成有所述栅线和数据线的一侧形成第一光刻胶层;
对所述第一光刻胶层进行曝光、显影,以形成所述平坦层。
优选地,采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影,以形成所述平坦层。
优选地,所述第一掩膜版至少具有与每个第一过孔一一对应的第一透光区域。
优选地,在所述衬底基板的一侧通过镀膜工艺形成第一光刻胶层。
优选地,采用第二掩膜版填充所述多个第一过孔。
优选地,所述第二掩膜版具有与每个所述第一过孔一一对应的第二透光区域。
优选地,采用第二掩膜版通过镀膜工艺填充所述多个第一过孔。
优选地,所述第一电极为由ITO形成的透明电极。
附图说明
图1为本发明一种实施例提供的OLED面板的制备方法的工艺流程图;
图2为采用本发明一种实施例提供的制备方法制备的OLED面板的结构示意图;
图3为图1中OLED面板的制备方法采用的第一掩膜版的结构示意图;
图4为图1中OLED面板的制备方法采用的第二掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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