[发明专利]一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：

一薄膜沉积腔室；

基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；

掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；

位置调整部件，用于调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：

对位部件，用于对所述掩膜版与所述基板进行对位。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：

气体提供部件，用于根据待沉积的薄膜的类型，向所述薄膜沉积腔室提供对应的工艺气体。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积腔室为用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层的薄膜沉积腔室。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述第一无机层的尺寸大于所述有机层的尺寸；

所述位置调整部件，进一步用于在沉积第一无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距；在沉积有机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，所述第二间距小于所述第一间距。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜封装层还包括第二无机层；第二无机层的尺寸大于所述第一无机层的尺寸；

所述位置调整部件，进一步用于在沉积第二无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，所述第三间距大于所述第一间距。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，

所述基板承载部件包括可升降基台，和/或，所述掩膜版固定部件为可升降的固定部件；

所述位置调整部件，用于控制所述可升降基台上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。

8.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

将待进行薄膜沉积的基板置入一薄膜沉积腔室；

将一掩膜版固定在所述基板的一侧，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；

调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤之前还包括：

将所述掩膜版与所述基板进行对位。

10.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积方法用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤包括：

将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距，在所述基板上沉积第一无机层；

将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，在所述基板上沉积有机层，其中，所述第二间距小于所述第一间距。

12.根据权利要求11所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述薄膜封装层还包括第二无机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤还包括：

将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，在所述基板上沉积第二无机层，其中，所述第三间距大于所述第一间距。

13.根据权利要求12所述的薄膜沉积方法，其特征在于，沉积所述第一无机层和第二无机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第一工艺气体，沉积所述有机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第二工艺气体，所述第一工艺气体与第二工艺气体不同。

14.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距的步骤包括：

控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。