[发明专利]一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法在审
申请号: | 201710337765.8 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107164725A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 孙泉钦;杨晓东;肖昂;李国伟;吴虹见;张杨扬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/54;C23C16/04;C23C16/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 黄灿,胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜沉积技术领域,尤其涉及一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法。
背景技术
目前,OLED(有机发光二极管)基板通常采用TFE(薄膜封装)工艺进行封装。
请参考图1,图1为现有的OLED面板的结构示意图,该OLED面板包括OLED基板和用于封装OLED基板的薄膜封装层,该OLED基板包括衬底基板101和设置在衬底基板101上的OLED器件102,该薄膜封装层包括三层封装薄膜,按照沉积顺序依次包括:第一无机层103,有机层104和第二无机层105。其中,第一无机层103的尺寸略大于有机层104的尺寸,第二无机层105的尺寸略大于第一无机层103的尺寸。
目前,薄膜封装的实现方法是:三层封装薄膜分别按序在不同的腔室或设备中沉积,每个腔室或设备承担一层封装薄膜的沉积。且,针对不同的封装薄膜,分别进行掩膜版(Mask)设计,各个掩膜版的开口区大小均不相同。
上述薄膜封装方法具有以下缺点:
1)需要至少3台不同工艺的腔室或设备,增加了设备成本。
2)待封装的OLED基板需要在不同设备之间传递,增加了产品受颗粒物影响的几率。
3)每层封装薄膜在进行沉积之前均需要对位,增加了对位难度。
4)每款产品需求多种Mask设计,增加了设计成本及管理难度。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法,采用同一薄膜沉积设备和同一掩膜版可沉积不同尺寸的薄膜。
为解决上述技术问题,本发明提供一种薄膜沉积设备,包括:
一薄膜沉积腔室;
基板承载部件,设置于所述薄膜沉积腔室内,用于承载待进行薄膜沉积的基板;
掩膜版固定部件,用于固定一掩膜版,所述掩膜版包括遮挡区和开口区,所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过;
位置调整部件,用于调整所述掩膜版与所述基板之间的间距,以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜,所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
优选地,所述薄膜沉积设备还包括:
对位部件,用于对所述掩膜版与所述基板进行对位。
优选地,所述薄膜沉积设备还包括:
气体提供部件,用于根据待沉积的薄膜的类型,向所述薄膜沉积腔室提供对应的工艺气体。
优选地,所述基板为OLED基板,所述薄膜沉积腔室为用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层的薄膜沉积腔室。
优选地,所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层;所述第一无机层的尺寸大于所述有机层的尺寸;
所述位置调整部件,进一步用于在沉积第一无机层之前,将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距;在沉积有机层之前,将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距,所述第二间距小于所述第一间距。
优选地,所述薄膜封装层还包括第二无机层;第二无机层的尺寸大于所述第一无机层的尺寸;
所述位置调整部件,进一步用于在沉积第二无机层之前,将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距,所述第三间距大于所述第一间距。
优选地,所述基板承载部件包括可升降基台,和/或,所述掩膜版固定部件为可升降的固定部件;
所述位置调整部件,用于控制所述可升降基台上升或下降,和/或,控制所述掩膜版固定部件上升或下降,以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
本发明还提供一种薄膜沉积方法,包括:
将待进行薄膜沉积的基板置入一薄膜沉积腔室;
将一掩膜版固定在所述基板的一侧,所述掩膜版包括遮挡区和开口区,所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过;
调整所述掩膜版与所述基板之间的间距,以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜,所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
优选地,所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距,以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤之前还包括:
将所述掩膜版与所述基板进行对位。
优选地,所述基板为OLED基板,所述薄膜沉积方法用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层。
优选地,所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层;所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距,以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤包括:
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距,在所述基板上沉积第一无机层;
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