[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板在审

专利信息
申请号: 201710338853.X 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107170829A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 王铖铖;李贺飞;宫奎;董必良 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

设置在衬底基板之上的遮光层;

设置在所述遮光层之上的有源层;

其中,所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽,所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述遮光层为栅极,所述薄膜晶体管还包括:

设置在所述遮光层与所述有源层之间的栅极绝缘层;

设置在所述有源层之上的源极和漏极。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:

设置在所述遮光层与所述有源层之间的钝化层;

设置在所述有源层之上的栅极绝缘层;

设置在所述栅极绝缘层之上的栅极;

设置在所述栅极之上的层间绝缘层;

设置在所述层间绝缘层之上的源极和漏极,其中,所述源极通过第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接。

4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述凹槽的开口深度为1000埃~10000埃。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底部之间的夹角大于或等于90°。

6.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板,包括背光源,其特征在于,所述显示面板还包括如权利要求6所述的阵列基板,所述阵列基板设置在所述背光源的出光侧。

8.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层;

在所述遮光层之上形成有源层,其中,所述凹槽的底面在衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层,具体包括:

在衬底基板之上形成第一薄膜层;

通过半色调掩模板,在所述第一薄膜层之上形成具有不同厚度区域的光刻胶层的图案,其中,所述光刻胶层的图案包括第一区域和第二区域,所述光刻胶层在所述第二区域的厚度小于在所述第一区域的厚度,所述凹槽的所述底面在所述衬底基板的正投影与所述第二区域在所述衬底基板的正投影重叠;

去除未被图案化的所述光刻胶层遮挡的所述第一薄膜层;

去除所述第二区域的所述光刻胶;

对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长;

去除剩余的所述光刻胶层。

10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长,具体包括:对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长,以使与所述第二区域对应的所述第一薄膜层的厚度减半。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710338853.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top