[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

平面显示器(F1at Pane1Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(Liquid Crysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ay Pane1，PDP)及场发射显示器(Field Emission Display，FED)等。

而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。串扰和闪屏不良一直是伴随平面显示器的顽固不良，其中一个主要的原因是薄膜晶体管关态时漏电流太大。漏电流的机制主要是沟道的空穴电流和光照产生的漏电流。图1为现有技术的一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板11之上的栅极12，设置在栅极12之上的栅极绝缘层13，设置在栅极绝缘层13之上的有源层14，设置在有源层14上的源极15和漏极16，即，为了防止薄膜晶体管在背光源照射下光漏过大，常设计成薄膜晶体管的有源层14被栅极12遮挡的底栅结构，来避免光漏电流。但是这种设计不能完全的遮挡全部光线，背光源的光线在经过反射和折射都会影响到有源层，增加光照时电子空穴对的产生概率，产生光照漏电流。即，现有技术的薄膜晶体管并不能有效地降低漏电流，仍然存在漏电流较大，进而导致形成的显示器容易产生串扰和闪屏的问题。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板，以有效降低薄膜晶体管的漏电流，避免由于薄膜晶体管漏电流较大而导致显示器容易发生串扰和闪屏的问题。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

设置在衬底基板之上的遮光层；

设置在所述遮光层之上的有源层；

其中，所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽，所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

优选的，所述遮光层为栅极，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述遮光层与所述有源层之间的栅极绝缘层；

设置在所述有源层之上的源极和漏极。

优选的，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述遮光层与所述有源层之间的钝化层；

设置在所述有源层之上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层之上的栅极；

设置在所述栅极之上的层间绝缘层；

设置在所述层间绝缘层之上的源极和漏极，其中，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接。

优选的，所述凹槽的开口深度为1000埃～10000埃。

优选的，所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底部之间的夹角大于或等于90°。

本申请实施例还提供一种阵列基板，包括本申请实施例提供的所述的薄膜晶体管。

本申请实施例还提供一种显示面板，包括背光源，所述显示面板还包括本申请实施例提供的所述阵列基板，所述阵列基板设置在所述背光源的出光侧。

本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层；

在所述遮光层之上形成有源层，其中，所述凹槽的底面在衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

优选的，所述在衬底基板之上形成包括有凹槽的遮光层，具体包括：

在衬底基板之上形成第一薄膜层；

通过半色调掩模板，在所述第一薄膜层之上形成具有不同厚度区域的光刻胶层的图案，其中，所述光刻胶层的图案包括第一区域和第二区域，所述光刻胶层在所述第二区域的厚度小于在所述第一区域的厚度，所述凹槽的所述底面在所述衬底基板的正投影与所述第二区域在所述衬底基板的正投影重叠；

去除未被图案化的所述光刻胶层遮挡的所述第一薄膜层；

去除所述第二区域的所述光刻胶；

对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长；

去除剩余的所述光刻胶层。

优选的，所述对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长，具体包括：对与所述第二区域对应的所述第一薄膜层刻蚀预设时长，以使与所述第二区域对应的所述第一薄膜层的厚度减半。