[发明专利]SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法有效
| 申请号： | 201710338860.X | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108875105B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 晶体管 端口 网络 射频 模型 参数 提取 方法 | ||
1.一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，其特征在于，所述参数提取方法包括以下步骤：
1)依据栅导纳YGG提取栅电阻Rg及栅电容Cgg；
2)依据栅源导纳YGS提取栅源电容Cgs，并依据栅漏导纳YGD提取栅漏电容Cgd；
3)依据栅源导纳YGS、栅电阻Rg、栅源电容Cgs及栅漏电容Cgd提取源电阻Rs，并依据栅漏导纳YGD、栅电阻Rg、栅源电容Cgs及栅漏电容Cgd提取漏电阻Rd；
4)依据源体导纳YBS提取源体二极管结电容Csb，并依据漏体导纳YBD提取漏体二极管结电容Cdb；
5)依据体导纳YBB提取体电阻Rb；
6)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数YDD提取衬底电阻Rsub，漏区埋氧层与衬底的Y参数的表达式为：
Y3＝YDD-Y1-Y2
其中，
其中，ω＝2πf，f为所述SOI晶体管的频率；
由Y3可得：
7)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及体阻抗ZBB提取衬底电容Csub，ZBB的表达式为：
其中，Cdbox为漏区埋氧层电容；
由Y3可得：
由上两式可得：
由Z1可得：
8)依据漏区埋氧层电容的阻抗ZCdbox提取漏区埋氧层电容，ZCdbox的表达式为：
由ZCdbox可得：
9)依据源区埋氧层与衬底的Y参数YSS提取源区埋氧层电容Csbox，源区埋氧层与衬底的Y参数的表达式为：
Y6＝YSS-Y4-Y5
其中，
又
其中，
设定其中，Zcsbox为源区埋氧层电容的阻抗，则
2.根据权利要求1所述的SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，其特征在于：步骤1)中，YGG与栅电阻Rg及栅电容Cgg的关系式为：
其中，ω＝2πf；由于直接依据YGG的虚部即可提取所述栅电容Cgg：
依据YGG的实部即可提取所述栅电阻Rg：
其中，
3.根据权利要求1所述的SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，其特征在于：步骤2)中，依据的YGS的虚部提取Cgs，依据YGD的虚部提取Cgd：
4.根据权利要求1所述的SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，其特征在于：步骤3)中，依据YGS的实部、Rg、Cgs及Cgd提取源电阻Rs，依据YGD的实部、Rg、Cgs及Cgd提取漏电阻Rd：
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