[发明专利]SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法

说明书

本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据Y_GG提取栅电阻R_g及栅电容C_gg；2）依据Y_GS提取栅源电容C_gs，并依据Y_GD提取栅漏电容C_gd；3）依据Y_GS、R_g、C_gs及C_gd提取源电阻R_s，并依据Y_GD、R_g、C_gs及C_gd提取漏电阻R_d；4）依据Y_BS提取源体二极管结电容C_sb，并依据Y_BD提取漏体二极管结电容C_db；5）依据Y_BB提取体电阻R_b；6）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻；7）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及Z_BB提取衬底电容；8）依据Z_Cdbox提取漏区埋氧层电容；9）依据源区埋氧层与衬底的Y参数及Y_SS提取源区埋氧层电容。本发明通可以利用Y参数或Z参数直接对所述SOI晶体管四端口网络射频模型参数进行提取。

技术领域

本发明涉及半导体及半导体器件模型领域，特别是涉及一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法。

背景技术

SOI(绝缘体上硅)技术由于低功耗高速度优势，以及可以采用高阻衬底的优势，在射频集成电路设计中开始获得应用。SOI技术中，衬底性能对射频大信号影响较大，在进行电路仿真时，衬底参数对大信号十分重要。然而由于衬底参数难以提取，过去一般采用计算机仿真或者采用很复杂的测试结果进行提取，但该提取方式操作过程非常复杂，是射频模型建模的一个难点。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，用于解决现有技术中SOI衬底参数较难提取，提取过程非常复杂的问题。

为实现上述目的的他相关目的，本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，所述参数提取方法包括以下步骤：

1)依据Y_GG提取栅电阻R_g及栅电容C_gg；

2)依据Y_GS提取栅源电容C_gs，并依据Y_GD提取栅漏电容C_gd；

3)依据Y_GS、R_g、C_gs及C_gd提取源电阻R_s，并依据Y_GD、R_g、C_gs及C_gd提取漏电阻R_d；

4)依据Y_BS提取源体二极管结电容C_sb，并依据Y_BD提取漏体二极管结电容C_db；

5)依据Y_BB提取体电阻R_b；

6)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻；

7)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及Z_BB提取衬底电容；

8)依据Z_Cdbox提取漏区埋氧层电容；

9)依据源区埋氧层与衬底的Y参数Y_SS提取源区埋氧层电容。