[发明专利]发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造发光半导体芯片(100)的方法，所述发光半导体芯片具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化，

其中在用于生长所述第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的所述第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立所述第一半导体层(1)的所述材料组成的横向变化，

其中在晶片复合件中的生长衬底上生长所述第一半导体层(1)，

其中有针对性地至少部分地通过局部变化的光辐照(300)产生不均匀的横向温度分布，以及

其中所述光辐照(300)为了控制温度分布而耦合到温度测量设备和/或用于测量晶片曲率的测量设备，和

其中根据基于曲率测量和/或位置分辨的温度测量的瞬时曲率数据，局部地调整射入到所述生长衬底上的光功率，使得温度曲线均匀化，和

其中能够针对均匀化的温度曲线有针对性地施加调制，使得在所述生长衬底上产生期望的横向的不均匀的温度分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在生长衬底上安置呈校准或触发标记形式的标记。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在生长工艺期间在光辐照的过程中探测所述标记，其中将所述温度曲线根据所述标记校准。

4.根据权利要求1所述的方法，其中局部变化的光辐照包括用激光器辐照。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在光辐照时将光通过光转向装置有针对性地转向到预定的区域上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中对生长有所述第一半导体层的面执行扫描。

7.根据权利要求4所述的方法，其中使用单独的激光束。

8.根据权利要求4所述的方法，其中多个可同步地或彼此独立地操控的激光源用于产生局部变化的光辐照，所述光辐照能够根据操控照亮多个区域进而局部地发热。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中有针对性地至少部分地通过温度分布结构(7)产生所述不均匀的横向温度分布，所述温度分布结构(7)具有至少一个温度分布结构元件(70)，所述温度分布结构元件引起生长的所述第一半导体层(1)的温度的局部的升高或降低。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中，生长具有保持不变的厚度的所述第一半导体层(1)。

11.根据权利要求1所述的方法，其中

-制造所述第一半导体层(1)，使得其具有至少一个第一区域(11)和至少一个横向地与所述第一区域相邻的第二区域(12)；

-所述第一区域(11)和所述第二区域(12)具有相同的材料体系；并且

-所述第一区域(11)的材料组成不同于所述第二区域(12)的材料组成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中

-所述第一半导体层(1)至少是设为用于产生光的有源层的一部分，并且

-所述半导体芯片(100)由于至少一个所述第一区域(11)和至少一个横向与其相邻的所述第二区域(12)的不同的材料组成而在运行时放射具有不同波长的光。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一半导体层(1)基于材料体系InAlGaN，并且为了所述材料组成的横向变化而改变In含量。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中所述材料组成的横向变化至少部分地具有阶梯形的变化曲线。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中所述材料组成的横向变化至少部分地具有连续的变化曲线。