[发明专利]发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法

说明书

提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。

相关申请的交叉参考

本申请要求德国专利申请10 2016 108 892.7的优先权，其公开内容通过参考结合于此。

技术领域

提出一种发光半导体芯片和一种用于制造发光半导体芯片的方法。

背景技术

对于多种基于激光器的应用，例如投影应用，缺少适当的、以多个波长发射的激光二极管，其中波长限定地变化。此外，对于激光投影会非常有利的是：激光源能够产生轻微变化的波长，以便借此减少散斑图案的出现。对于借助波长多路复用进行的消息传输以及在生物传感技术中也需要具有不同波长的激光源。

对于之前提到的应用，通常选择具有相应不同发射波长的不同的激光二极管，然而这由于具有不适当波长的激光二极管的废品而造成高的物流耗费和减小的产量。具有不同波长的选择出的激光二极管此外必须单独地焊接。此外，必须为各个激光二极管分别设有相应的热沉、键合线和壳体。此外，由于不可避免的安装公差，必要的是：单独校准对每个二极管所需的光学元件。由此，得到高的安装成本和变差的产量。附加地，强烈限制最小可行的构型尺寸，这加难或甚至妨碍在如下应用中的使用：在所述应用中，紧凑性具有决定性意义。

发明内容

特定的实施方式的至少一个目的是：提出一种发光半导体芯片。特定的实施方式的至少一个目的是：提出一种用于制造发光半导体芯片的方法。

所述目的通过根据本发明实施例的设备和方法来实现。设备的和方法的有利的实施方式和改进方案的特征从下面的描述和附图中得到。

根据至少一个实施方式，半导体芯片具有至少一个第一半导体层。第一半导体层尤其能够是具有多个半导体层的半导体层序列的一部分。半导体芯片尤其能够构成为发光半导体芯片，例如构成为发光二极管芯片或激光二极管芯片。

根据至少一个实施方式，在用于制造半导体芯片的方法中，生长至少一个第一半导体层。第一半导体层尤其能够是半导体层序列的一部分。

之前和随后描述的实施方式同样涉及用于制造半导体芯片的方法以及涉及半导体芯片。

半导体层序列尤其能够构成为外延层序列，即构成为外延生长的半导体层序列。在此，半导体层序列例如能够基于InAlGaN构成。基于InAlGaN的半导体层序列尤其包括如下半导体层序列：在所述半导体层序列中，外延制造的半导体层序列通常具有由不同的单层构成的层序列，所述半导体层序列包含至少一个单层，所述单层具有出自III-V族化合物半导体材料体系In_xAl_yGa_1-x-yN的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。尤其，第一半导体层能够基于这种材料。具有至少一个基于InAlGaN的有源层作为发光半导体芯片的一部分的半导体层序列例如能够优选发射在紫外的至绿色的波长范围中的电磁辐射。

替选地或附加地，半导体层序列也能够基于InAlGaP，也就是说，半导体层序列能够具有不同的单层，其中至少一个单层，例如第一半导体层具有出自III-V族化合物半导体材料体系In_xAl_yGa_1-x-yP的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。具有至少一个基于InAlGaP的有源层作为发光半导体芯片的一部分的半导体层序列例如能够优选发射具有一个或多个在绿色至红色的波长范围中的光谱分量的电磁辐射。

替选地或附加地，半导体层序列也能够具有其他III-V族化合物半导体材料体系，例如基于InAlGaAs的材料，或具有II-VI族化合物半导体材料体系。尤其，发光半导体芯片的具有基于InAlGaAs材料的有源层能够适合于发射具有一个或多个在红色的至红外的波长范围中的光谱分量的电磁辐射。