[发明专利]制作嵌入式非挥发存储器的方法

权利要求书

1.一种制作嵌入式非挥发存储器的方法，包含有：

提供一半导体基板，具有一鳍状结构，凸出于一绝缘层上；

形成一电荷存储层，横跨该鳍状结构；

在该半导体基板上沉积一层间介电层；

研磨该层间介电层，直到显露出该电荷存储层的一上表面；

凹陷蚀刻该电荷存储层，使该电荷存储层的该上表面低于该层间介电层的上表面，以形成一凹陷沟槽；

将该电荷存储层切断成分离的电荷存储结构；

在该电荷存储结构上形成一高介电常数介电层；及

在该高介电常数介电层形成一字符线。

2.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中另包含：

在该电荷存储层与该鳍状结构间形成一隧穿介电层。

3.如权利要求2所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该隧穿介电层包含氧化硅层。

4.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该鳍状结构为一直线形鳍状结构，沿着一第一方向延伸，该电荷存储层为一直线形电荷存储层，沿着一第二方向延伸，其中该第一方向垂直该第二方向。

5.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该电荷存储层包含多晶硅。

6.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该电荷存储层包含氮化硅。

7.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中在研磨该层间介电层与凹陷蚀刻该电荷存储层之间，另包含：

在该电荷存储层上形成一蚀刻停止层；及

在该蚀刻停止层上形成一牺牲盖层。

8.如权利要求7所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该蚀刻停止层包含氮化硅。

9.如权利要求7所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该牺牲盖层包含多晶硅。

10.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该高介电常数介电层是选自以下群组：氧化铪(HfO₂)、硅酸铪(HfSiO₄)、铪氮氧硅化物(HfSiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化镧(La₂O₃)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化钇(Y₂O₃)、钛酸锶氧化物(SrTiO₃)，硅酸锆(ZrSiO₄)、氧化锆铪(HfZrO₄)、钽酸锶铋(SrBi₂Ta₂O₉，SBT)、锆钛酸铅(PbZr_xTi_1-xO₃，PZT)及钛酸锶钡(Ba_xSr_1-xTiO₃，BST)。

11.如权利要求1所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中研磨该层间介电层，直到显露出该电荷存储层的上表面后，该电荷存储层的上表面与该层间介电层的上表面齐平。

12.如权利要求11所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该字符线包含金属。

13.如权利要求12所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中该字符线的上表面与该层间介电层的上表面齐平。

14.如权利要求4所述的制作嵌入式非挥发存储器的方法，其中所述将该电荷存储层切断成分离的电荷存储结构，包含：

在该层间介电层及该电荷存储层上形成一光致抗蚀剂图案，具有一直线形开孔，沿着该第一方向延伸；

经由该直线形开孔，选择性的蚀刻该电荷存储层，如此形成该分离的电荷存储结构；及

去除该光致抗蚀剂图案。