[发明专利]制作嵌入式非挥发存储器的方法有效
| 申请号： | 201710340214.7 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108735757B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李皞明;林胜豪;郑子铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 嵌入式 挥发 存储器 方法 | ||
本发明公开一种制作嵌入式非挥发存储器的方法。先提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。
技术领域
本发明涉及半导体制作工艺技术领域，特别是涉及一种制作嵌入式非挥发存储器的方法，可以与鳍状场效晶体管(FinFET)制作工艺相容。
背景技术
随着半导体逻辑制作工艺推进到纳米技术节点，晶体管元件的结构也已演化至鳍状场效晶体管(FinFET)或三栅极(tri-gate)晶体管等立体结构，用于增加晶体管元件的驱动电流及效能。
此外，随着移动装置的普及化，市场对于具有嵌入式闪存存储器的集成电路芯片的需求将会越来越大。因此，本案申请人遂提出一种制作嵌入式非挥发存储器的方法，可以与鳍状场效晶体管(FinFET)制作工艺相容。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种制作嵌入式非挥发存储器的方法，以解决现有技术的不足与缺点。
根据本发明一实施例，公开制作嵌入式非挥发存储器的方法。首先，提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。
为让本发明上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1至图5为本发明实施例所绘示的制作嵌入式非挥发存储器的方法的示意图；
图6为本发明另一实施例所绘示的一立体透视图，例示在虚设栅极层上形成一蚀刻停止层，在蚀刻停止层上形成一牺牲盖层。
主要元件符号说明
10 半导体基板
11、12 鳍状结构
20 绝缘层
22 虚设栅极层
22a 上表面
22’ 电荷存储结构
30 层间介电层
40 高介电常数介电层
50 光致抗蚀剂图案
50a 直线形开孔
60 金属层
60a 栅极
60b 字符线
101 逻辑电路区
102 嵌入式非挥发存储器区
110 栅极介电层
120 隧穿介电层
220 凹陷沟槽
230 沟槽
t 预定厚度
M1、M2 嵌入式非挥发存储器
具体实施方式
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
