[发明专利]半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成多个半导体器件的方法(100,200,300,400,500,600,700,800)，所述方法包括：

形成(110)从半导体晶片的第一侧向表面朝向所述半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽；

用填充材料填充(120)所述多个沟槽的至少一部分；

从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄(130)，以形成减薄的半导体晶片；

在对所述半导体晶片进行减薄之后，在所述半导体晶片的多个半导体芯片区上形成(140)背侧金属化层结构，其中所述半导体晶片的所述多个半导体芯片区位于所述多个沟槽之间；以及

在形成所述背侧金属化层结构之后通过从所述多个沟槽去除所述填充材料的至少一部分来使所述半导体晶片的所述半导体芯片区个体化(150)，以获得所述多个半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述半导体晶片(203,303)进行减薄包括从半导体晶片的所述第二侧向表面(204)去除半导体晶片材料以在所述减薄的半导体晶片的所述第二侧向表面处露出包括填充材料(207)的所述多个沟槽(201)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在对所述半导体晶片进行减薄之后，所述减薄的半导体晶片(203,303)的最大厚度小于100μm。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中位于所述多个半导体芯片区(205)中的相邻半导体芯片区(205)之间的所述多个沟槽(201)中的沟槽(201)的平均侧向宽度小于15μm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在用填充材料(207)填充所述多个沟槽(201)的所述至少一部分之后，在所述多个半导体芯片区(205)中的半导体芯片区中形成半导体器件的至少一个电结构(206)的至少一部分。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在对所述半导体晶片进行减薄之后，从所述半导体晶片(203,303)的所述第二侧向表面(204)蚀刻位于所述多个沟槽(201)中的所述填充材料(207)，使得包括填充材料(207)的所述多个沟槽(201)的最大深度小于所述减薄的半导体晶片的厚度。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中对所述半导体晶片(203,303)进行减薄包括从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄，直到在所述减薄的半导体晶片(203,303)的所述第二侧向表面处露出所述半导体晶片的蚀刻停止层结构(315)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体晶片的所述蚀刻停止层结构(315)在所述半导体晶片(203,303)的侧向面积的至少70％上侧向延伸。

9.根据权利要求7或8所述的方法，还包括在所述半导体晶片(203,303)的所述多个半导体芯片区(205)上形成所述背侧金属化层结构(209)之前，去除所述半导体晶片(203,303)的所述蚀刻停止层结构(315)的至少一部分。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述多个沟槽(201)从半导体晶片(203,303)的所述第一侧向表面(202)至少延伸到所述半导体晶片(202,303)的所述蚀刻停止层结构(315)的垂直高度(318)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述填充材料(207)是碳基材料、氮化硅基材料、二氧化硅基材料、无定形碳化硅基材料、胶或可拉伸材料。

12.一种用于形成多个半导体器件的方法(400,500)，所述方法包括：

在从半导体晶片的第一侧向表面朝向所述半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽中的沟槽的第一侧壁和相反的第二侧壁上形成(410)填充材料，

其中所述多个沟槽中的所述沟槽位于所述半导体晶片的相邻半导体芯片区之间，

其中在位于所述多个沟槽中的所述沟槽的所述第一侧壁上的所述填充材料与位于所述多个沟槽中的所述沟槽的所述第二侧壁上的所述填充材料之间保留有沟槽空隙；以及

通过扩大所述多个沟槽中的所述沟槽的所述第一侧壁与所述多个沟槽中的所述沟槽的所述第二侧壁之间的距离来使所述半导体晶片的所述相邻半导体芯片区个体化(420)。