[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

依次设置在基底上的平坦化层和像素定义层，所述平坦化层上设置有凸台，所述像素定义层设置有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阳极和隔离柱，所述阳极设置在所述平坦化层的凸台上，所述隔离柱设置在所述像素定义层上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层的上表面高于所述凸台的上表面。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凸台的高度为1～3μm，所述像素定义层的厚度为1.4～3.6μm。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层的上表面高于所述阳极的上表面。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层的上表面与阳极的上表面之间的高度差为0.2～0.4μm。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成具有凸台的平坦化层；

形成像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括形成阳极和隔离柱的步骤，所述阳极形成在所述平坦化层的凸台上，所述隔离柱形成在所述像素定义层上。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述像素定义层的上表面高于所述凸台的上表面。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述凸台的高度为1～3μm，所述像素定义层的厚度为1.4～3.6μm。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述像素定义层的上表面高于所述阳极的上表面。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述像素定义层的上表面与阳极的上表面之间的高度差为0.2～0.4μm。

13.根据权利要求7～12任一所述的制备方法，其特征在于，所述形成具有凸台的平坦化层，包括：

涂覆平坦化薄膜；

采用半色调掩膜版对平坦化薄膜进行曝光并显影，在过孔位置为完全曝光区域，形成平坦化过孔，在开口区域为未曝光区域，形成凸台，其余位置为部分曝光区域，形成平坦化层。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～6任一所述的阵列基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。