[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着科学技术的不断进步，视觉资讯在人们的生活中的地位越来越重要，因而承载视觉资讯信息的平板显示装置也在人们生活中占据了越来越重要的地位。这些平板显示装置包括液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置。由于OLED显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽等优点，且可实现大面积全色显示，有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术，是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置是OLED显示装置的一种，主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED构成。

目前，现有AMOLED背板制备中包括制备隔离柱工艺。经本申请发明人研究发现，在制备隔离柱过程中，容易出现像素限定区域存在有机膜残留的问题，而像素限定区域的有机膜残留会影响发光材料蒸镀后的发光特性，甚至造成缺陷，在很大程度上降低了良品率。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种阵列基板及其制造方法，以克服现有制备方法中像素限定区域存在有机膜残留的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

基底；

依次设置在基底上的平坦化层和像素定义层，所述平坦化层上设置有凸台，所述像素定义层设置有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。

可选地，还包括阳极和隔离柱，所述阳极设置在所述平坦化层的凸台上，所述隔离柱设置在所述像素定义层上。

可选地，所述像素定义层的上表面高于所述凸台的上表面。

可选地，所述凸台的高度为1～3μm，所述像素定义层的厚度为1.4～3.6μm。

可选地，所述像素定义层的上表面高于所述阳极的上表面。

可选地，所述像素定义层的上表面与阳极的上表面之间的高度差为0.2～0.4μm。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

形成具有凸台的平坦化层；

形成像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。

可选地，还包括形成阳极和隔离柱的步骤，所述阳极形成在所述平坦化层的凸台上，所述隔离柱形成在所述像素定义层上。

可选地，所述像素定义层的上表面高于所述凸台的上表面。

可选地，所述凸台的高度为1～3μm，所述像素定义层的厚度为1.4～3.6μm。

可选地，所述像素定义层的上表面高于所述阳极的上表面。

可选地，所述像素定义层的上表面与阳极的上表面之间的高度差为0.2～0.4μm。

可选地，所述形成具有凸台的平坦化层，包括：

涂覆平坦化薄膜；

采用半色调掩膜版对平坦化薄膜进行曝光并显影，在过孔位置为完全曝光区域，形成平坦化过孔，在开口区域为未曝光区域，形成凸台，其余位置为部分曝光区域，形成平坦化层。

本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括前述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括前述的显示面板。

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法，通过在平坦化层上设置凸台，阳极设置在凸台上，有效减小了像素定义层与阳极之间的段差，避免了制备隔离柱构图工艺中造成像素限定区域的有机膜残留，提高了阵列基板的发光特性和良品率。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为现有阵列基板的结构示意图；