[发明专利]用于提高PIMD性能的RF滤波器

权利要求书

1.一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述RF滤波器包括：

壳体，所述壳体中形成有至少一个空腔，所述壳体包括保持在所述空腔中的介质谐振器；

垫圈，所述垫圈连接至所述介质谐振器的上部分和下部分，所述垫圈成形为圆形板并且由金属材料制成；以及

封盖，所述封盖连接至所述壳体的上部分，所述垫圈具有垫圈突出部，所述垫圈突出部形成在所述垫圈的一侧上，所述垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，并且所述垫圈用于与所述封盖或所述壳体接触；

其中，连接至所述介质谐振器的所述上部分和所述下部分的至少一个所述垫圈具有从所述介质谐振器的一侧突出的与所述垫圈一体化的螺钉。

2.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述螺钉的外周长上形成有阳螺纹，所述壳体或所述封盖中形成有槽或孔，所述槽或所述孔的内周长中形成有阴螺纹，所述阴螺纹对应所述螺钉的所述阳螺纹，

并且所述螺钉插入所述槽或所述孔中以与所述封盖或所述壳体连接。

3.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，通过焊接的方式来将所述介质谐振器和所述垫圈连接。

4.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的压紧构件，

其中，所述封盖中形成有插入区域，所述插入区域用于容纳从所述插入区域穿过的所述压紧构件，所述插入区域中形成有薄部，与所述封盖的主体的厚度相比，所述薄部的厚度更小，所述压紧构件用于穿过所述插入区域以压紧所述薄部，并且所述薄部用于与所述垫圈接触。

5.根据权利要求4所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述压紧构件包括弹性构件，所述弹性构件能够施加弹力。

6.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，

所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的调谐螺栓，

其中，所述调谐螺栓插入所述空腔中。

7.根据权利要求6所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述调谐螺栓由金属材料形成，并且所述调谐螺栓用于使得所述调谐螺栓的插入深度既可调节又可固定。

8.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述壳体和所述封盖的材料为金属。

9.一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述RF滤波器包括：

壳体，所述壳体中形成有至少一个空腔，所述壳体包括保持在所述空腔中的金属谐振器；

介质圆盘，所述介质圆盘连接至所述金属谐振器的上部分；

垫圈，所述垫圈连接至所述介质圆盘的上部分，所述垫圈具有环形形状并且由金属材料制成；以及

封盖，所述封盖连接至所述壳体的上部分，所述垫圈具有垫圈突出部，所述垫圈突出部形成在所述垫圈的一侧上，所述垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，并且所述垫圈用于与所述封盖接触；

其中，所述金属谐振器的下表面中形成有紧固孔，并且通过将紧固构件穿过所述紧固孔的方式来将所述金属谐振器固定至所述壳体；

其中，所述金属谐振器的下表面上形成有谐振器突出部，并且所述金属谐振器用于与所述壳体接触。

10.根据权利要求9所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，通过焊接的方式来将所述金属谐振器和所述介质圆盘连接，并且通过焊接的方式来将所述介质圆盘和所述垫圈连接。

11.根据权利要求9所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的压紧构件，

其中，所述封盖中形成有插入区域，所述插入区域用于容纳从所述插入区域穿过的所述压紧构件，所述插入区域中形成有薄部，与所述封盖的主体的厚度相比，所述薄部的厚度更小，所述压紧构件用于穿过所述插入区域以对压紧所述薄部，并且所述薄部用于与所述垫圈接触。